Newsletters

AIXTRON Получает Новый Порядок для Системы Низложения Пара Химиката Карбида Кремния

SE AIXTRON сегодня объявил новый порядок для системы низложения химического пара карбида кремния (SiC (CVD)) от главных корпоративных исследования & разрабатывающей организации расположенных в норд-осте США.

Заказ состоит из системы реактора Горяч-Стены конфигурации вафли VP508GFR 1x4-inch с дополнительными характеристиками включая Двойной реактор Горяч-Стены Пробки с запатентованным AIXTRON Вращением Фольги Газа для индивидуального единообразия вафли и высокотемпературной возможности.

Компания сделала заказ заказ во время третьей четверти 2010. После поставки в вторая четверти 2011, местная группа обеспечения AIXTRON унесет установку и поручать.

Др. Франкирует Wischmeyer, Недостаток - Президент и Управляющий Директор AIXTRON AB, комментарии, «Против фона Нобелевской Премии для Физики награженной к Andre Geim и Konstantin Novoselov для Graphene, этого хороший приурочивать для нашей будущей поставки. Graphene exciting материал который обладает высокой подвижностью электрона, делая им потенциальный выбранный как материал канала в будущих высокочастотных приборах и интегральных схемаах.»

Система AIXTRON VP508GFR доказанная в подобных научно-исследовательских проектах будет использована для того чтобы вырасти эпитаксиальный SiC и преобразовать, котор росли материал SiC в монослои Graphene.

Для продукции маштаба R&D и средства, предложения реактора пробки Горяч-Стены VP508GFR AIXTRON определяют вафлю 4 дюйма и опционной емкость 6 дюймов в двойной конфигурации камеры для увеличенной урожайности.

AIXTRON также предлагает основанные продукцией платформы MOCVD используя свой планетарный тип реакторы MOCVD с высокотемпературной возможностью для эпитаксиального роста SiC для 4 - и возможность 6 дюймов.

Источник: http://www.aixtron.com/

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit