AIXTRON 收到碳化硅化学气相沉积系统的新的订单

Published on January 20, 2011 at 6:42 AM

AIXTRON SE 今天宣布了碳化硅 (SiC) 化学气相沉积系统的新的 (CVD)指令从位于美国的东北部的主要总公司研究 & 开发中心。

这个命令包括与另外的功能的一个 VP508GFR 1x4 英寸薄酥饼配置热墙壁反应器系统包括有 AIXTRON 给予专利的气体箔循环的一台双重管热墙壁反应器的单个薄酥饼均一和高温功能。

在第三季度 2010年期间,这家公司发出了这份订单。 在第二季度的发运之后 2011年,局部 AIXTRON 流动代课教师组将执行安装和委任。

弗兰克 Wischmeyer 博士, AIXTRON AB,备注副总统和总经理, “诺贝尔奖的背景物理的授予了安德烈 Geim,并且 Graphene 的,这康斯坦丁 Novoselov 是好计时我们即将发布的发运的。 Graphene 是拥有高电子迁移率,做它一名潜在的候选人作为在将来的高频率设备和集成电路的通道材料的扣人心弦的材料”。

在相似的研究计划证明的 AIXTRON VP508GFR 系统将用于生长外延 SiC 和转换增长的 SiC 材料成 Graphene 单层。

对 R&D 和中比例尺生产, AIXTRON 的 VP508GFR 热墙壁管反应器聘用选拔薄酥饼 4 英寸和选项 6 英寸能力在一种双重房间配置改进的生产率的。

AIXTRON 也提供生产基于 MOCVD 平台使用其星球类型 MOCVD 反应器以外延 SiC 增长的高温功能 4 的 - 和 6 英寸功能。

来源: http://www.aixtron.com/

Last Update: 11. January 2012 12:08

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