AIXTRON 收到碳化硅化學氣相沉積系統的新的訂單

Published on January 20, 2011 at 6:42 AM

AIXTRON SE 今天宣佈了碳化硅 (SiC) 化學氣相沉積系統的新的 (CVD)指令從位於美國的東北部的主要總公司研究 & 開發中心。

這個命令包括與另外的功能的一個 VP508GFR 1x4 英寸薄酥餅配置熱牆壁反應器系統包括有 AIXTRON 給予專利的氣體箔循環的一臺雙重管熱牆壁反應器的單個薄酥餅均一和高溫功能。

在第三季度 2010年期間,這家公司發出了這份訂單。 在第二季度的發運之後 2011年,局部 AIXTRON 流動代課教師組將執行安裝和委任。

弗蘭克 Wischmeyer 博士, AIXTRON AB,備注副總統和總經理, 「諾貝爾獎的背景物理的授予了安德烈 Geim,并且 Graphene 的,這康斯坦丁 Novoselov 是好計時我們即將發布的發運的。 Graphene 是擁有高電子遷移率,做它一名潛在的候選人作為在將來的高頻率設備和集成電路的通道材料的扣人心弦的材料」。

在相似的研究計劃證明的 AIXTRON VP508GFR 系統將用於生長外延 SiC 和轉換增長的 SiC 材料成 Graphene 單層。

对 R&D 和中比例尺生產, AIXTRON 的 VP508GFR 熱牆壁管反應器聘用選拔薄酥餅 4 英寸和選項 6 英寸能力在一種雙重房間配置改進的生產率的。

AIXTRON 也提供生產基於 MOCVD 平臺使用其星球類型 MOCVD 反應器以外延 SiC 增長的高溫功能 4 的 - 和 6 英寸功能。

來源: http://www.aixtron.com/

Last Update: 26. January 2012 14:04

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