Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D

Lithographie Bringt durch bei voran SPIE-Konferenz Dargestellt Zu Werden SEMATECH,

Published on February 18, 2011 at 4:49 AM

SEMATECH-Experten stellen Welt-führende Forschung und Entwicklung Auswirkungen auf extremes ultraviolettes (EUV) manufacturability und extendibility, alternative Lithographie und in Verbindung stehende Bereiche von Metrologie an der SPIE Fortgeschrittenen Lithographie 2011 Konferenzen am 27. Februar - 3. März am San- JoseKonferenzzentrum und am Marriott in San Jose, CA dar.

„Wir sind über das Teilen unseres Fortschritts auf einigen der kritischsten Aspekte der Entwicklung von EUV-Infrastruktur enthusiastisch,“ sagte Bryan-Reis, Direktor der Lithographie an SEMATECH. „Durch intensive Forschung und Entwicklung Bemühungen, SEMATECH fährt fort, führende Ergebnisse der Industrie für das Aktivieren von Steuerleitung Bereitschaft EUVL und das Voranbringen EUV-extendibility und Alternativlithographie zu liefern.“

SEMATECH-Ingenieure berichten über Fortschritt auf EUV-Maskeninfrastruktur, manufacturability, voranbringendes extendibility, alternative Lithographie, Metrologie und stellen einige ihrer Ergebnisse herein über 20 Papieren, die Durchbruchergebnisse in der Berührungshilfsmittelfähigkeit zeigen zur Schau, widerstehen Fortschritten, Defekt-bedingter Inspektion, dem handhabenden Fadenkreuz und nanoimprint.

Wichtiger, sind die Ergebnisse, die dargestellt werden, instrumentell, wenn sie fristgerechte Schaffung der restlichen Infrastruktur treiben, die benötigt wird, um EUV zur vollen Produktion zu holen. In einem Prüfungsinhalt berichten Technologen vom Masken-Abdeckungs-Entwicklungszentrum SEMATECHS über Fortschritt mit seinem mehrschichtigen Absetzungsprozeß. Speziell hat SEMATECH, in Partnerschaft mit Inspektionshilfsmittellieferanten, Defektquellen und Bestätigung von Defektabschwächungstechniken gekennzeichnet.

Andere SEMATECH-Papiere stellen Fortschritte in den Metrologietechniken, in der Fotoresistschrumpfung, in der scatterometry, zerstörungsfreien TSV-Ätzungstiefe, in CD-SAXS - eine mögliche Röntgenstrahlmetrologie CD-Technik für zukünftige Knotenpunkte - und in einer optischen CD-Metrologietechnik in Entwicklung an NIST zur Schau, das ein Sieger von der R&D-Zeitschrift des letzten Jahres Preis des R&D 100 war.

„Das Vorentwicklungs-Metrologie-Programm bringt Weltklassen- Forscher zusammen und Ingenieure zusammen mit Zugriff zum kritischen Laboranalysegerät, zum von hoch entwickelten Metrologiefähigkeiten zu unseren Bauteilen und zur Halbleitergemeinschaft bereitzustellen,“ sagte Phil Bryson, Direktor von Metrologie an SEMATECH. „Wir werden erregt, um unsere Ergebnisse mit einer herrlichen Gemeinschaft von den Technologen zu teilen, die an SPIE zusammengebaut werden, das eine in zunehmendem Maße beträchtliche Rolle spielt, wenn es antreibt die Halbleiterindustrie in Richtung zu den zukünftigen Generationen.“

Unter den globale führenden regelmäßigen Oberflächen der Halbleitergemeinschaft zieht die SPIE-Konferenzserie Tausenden Spezialisten in den verschiedenen Aspekten von Lithographie und von in Verbindung stehender Metrologie, zwei der schwierigsten Bereiche der hoch entwickelten Mikrochipproduktion an.

Quelle: http://www.sematech.org/

Last Update: 12. January 2012 19:26

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit