Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
Posted in | Nanoelectronics

Samsung Mengembangkan Baru I, O Handphone DRAM Menggunakan Teknologi 50 nm Proses Kelas

Published on February 21, 2011 at 4:13 AM

Samsung Electronics Co, Ltd, pemimpin dunia dalam teknologi memori maju, hari ini mengumumkan pengembangan 1 (Gb) gigabit DRAM mobile dengan antarmuka I / O yang luas, menggunakan 50 nanometer teknologi proses kelas.

Lebar baru I / O ponsel DRAM akan digunakan dalam aplikasi mobile, seperti smartphone dan PC tablet.

"Mengikuti perkembangan 4Gb LPDDR2 DRAM (rendah daya memori DDR2 dynamic random access) tahun lalu, baru DRAM kami solusi mobile dengan antarmuka I / O yang luas merupakan kontribusi yang signifikan untuk kemajuan kinerja tinggi produk mobile," kata Byungse Jadi, wakil presiden senior, memori produk perencanaan & teknik aplikasi di Samsung Electronics. "Kami akan terus agresif memperluas tinggi kinerja memori kami lini produk mobile untuk lebih mendorong pertumbuhan industri mobile."

Para 1Gb baru macam I / O ponsel DRAM dapat mengirimkan data pada 12,8 gigabyte (GB) per detik, yang meningkatkan bandwidth DDR DRAM mobile (1.6GB / s) delapan kali lipat, sementara mengurangi konsumsi daya sekitar 87 persen. Bandwidth juga empat kali lipat dari LPDDR2 DRAM (yang kira-kira 3.2GB / s).

Untuk meningkatkan transmisi data, lebar Samsung I / O DRAM menggunakan 512 pin untuk data input dan output dibandingkan dengan generasi sebelumnya DRAM mobile, yang digunakan maksimum 32 pin. Jika Anda termasuk pin yang terlibat dalam mengirimkan perintah dan mengatur power supply, Samsung tunggal lebar I / O DRAM adalah dirancang untuk menampung sekitar 1.200 pin.

Berikut ini saya / O lebar DRAM peluncuran, Samsung bertujuan untuk memberikan kelas 20nm 4Gb lebar I / O DRAM mobile sekitar tahun 2013. Prestasi terbaru perusahaan dalam DRAM mobile termasuk memperkenalkan 50nm DRAM 1Gb kelas pertama LPDDR2 pada tahun 2009 dan 40nm-kelas pertama 2Gb LPDDR2 pada tahun 2010.

Samsung akan menyajikan sebuah makalah yang berhubungan dengan lebar I / O teknologi DRAM pada Konferensi Internasional 2011 Solid-State Circuits (ISSCC) yang diadakan dari 20-24 Februari di San Francisco.

Menurut iSuppli, persentase ponsel DRAM ini dari total pengiriman DRAM tahunan akan meningkat dari sekitar 11,1 persen di tahun 2010 menjadi 16,5 persen pada tahun 2014.

Sumber: http://www.samsung.com/

Last Update: 3. October 2011 12:58

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit