Posted in | Nanoelectronics

三星开发新的 I,使用 50 毫微米选件类加工技术的 O 移动微量

Published on February 21, 2011 at 4:13 AM

三星电子 Co.,有限公司,世界领导人在先进的存储技术,今天宣布了 1 与宽输入/输出 (Gb)界面的吉比特移动微量的发展,使用 50 毫微米选件类加工技术。

新的宽输入/输出移动微量用于移动应用,例如智能手机和片剂个人计算机。

“去年按照 4Gb LPDDR2 微量 (低功率 DDR2 的发展动态随机存储器),我们与一个宽输入/输出界面的新的移动微量解决方法表示对高性能移动产品的推进的一个重大摊缴”,应用工程如此说 Byungse,资深副总裁、存储器产品计划 & 在三星电子。 “我们将继续积极地扩展我们的高性能移动存储器产品线路进一步推进移动行业的增长”。

新的 1Gb 宽输入/输出移动微量可能传输数据在 12.8 十亿字节 (GB)每秒,增加带宽移动 DDR 微量 (1.6GB/s) 八倍,当由大约 87% 时的消色力冲减。 带宽也是 LPDDR2 微量 (是近似 3.2GB/s) 的四次。

要提高数据传输,三星的宽输入/输出微量用途数据输入的 512 个针和输出与移动微量的早先生成比较,使用最多 32 个针。 如果您包括在发送介入指令和调控供电的针,一个三星宽输入/输出微量被设计适应大约 1,200 个针。

在此宽输入/输出微量生成之后,三星在 2013年打算某时提供 20nm 班的 4Gb 宽输入/输出移动微量。 在 2010年公司的最近成绩在移动微量在 2009年包括介绍第一个 50nm 班的 1Gb LPDDR2 微量和第一个 40nm 班的 2Gb LPDDR2。

三星在旧金山将介绍一份论文与宽输入/输出微量技术有关在从 2月被暂挂的 (ISSCC) 2011 条国际固体电路会议 20日到 24日。

根据 iSuppli,在 2014年总每年微量发运的移动微量的百分比从大约 11.1% 在 2010年% 到 16.5% 将增加。

来源: http://www.samsung.com/

Last Update: 12. January 2012 19:19

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit