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Posted in | Nanoelectronics

三星開發新的I,O使用50納米級工藝技術的移動 DRAM

Published on February 21, 2011 at 4:13 AM

先進的內存技術的世界領先地位,三星電子有限公司,今天宣布,1千兆位(GB)具有廣泛的I / O接口的移動 DRAM的發展,使用50納米級工藝技術。

新寬的I / O移動 DRAM將使用在移動應用程序,如智能手機和平板電腦,。

“以下的4Gb LPDDR2(低功耗DDR2動態隨機存取存儲器 DRAM)去年,我們新的移動 DRAM解決方案具有廣泛的I / O接口的發展代表了顯著的貢獻高性能移動產品的進步,說:”Byungse因此,高級副總裁,三星電子內存產品規劃及應用工程。 “我們將繼續積極擴大我們的高性能移動存儲產品線,以進一步推動移動通信行業的增長。”

全新1GB廣泛的I / O移動 DRAM 12.8每秒​​千兆字節(GB),從而增加了移動 DDR DRAM(1.6GB / S)八倍的帶寬可以傳輸數據,同時功耗降低約 87%。帶寬也LPDDR2 DRAM(約 3.2GB / S)的四倍。

為了提高數據傳輸,三星電子的廣泛的I / O的移動 DRAM,其中使用最多32個引腳的上一代相比,DRAM採用 512引腳數據輸入和輸出。如果包括發送命令和規範電源引腳,單寬的I / O三星DRAM的設計,以容納約 1200個。

這種廣泛的I / O DRAM的推出,三星的目標是提供20納米級 4GB廣泛的I / O移動 DRAM在2013年的某個時候。在該公司的移動 DRAM最近取得的成就,包括推出1GB 2009年第一個 50納米級 LPDDR2 DRAM和40納米級 2Gb的2010年LPDDR2。

三星將目前廣泛的I / O在2011年國際固態電路會議(ISSCC)上2月20日至24日在舊金山舉行的DRAM技術相關的一份文件。

據 iSuppli公司,移動 DRAM的年度總 DRAM出貨量的比例將在2010年至16.5%,在2014年增加約 11.1%。

來源: http://www.samsung.com/

Last Update: 3. October 2011 02:56

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