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FEI Per Fornire Tecnologia di TEM a CEA-Leti Per Caratterizzare i Materiali A Semiconduttore 22nm

Published on February 22, 2011 at 7:31 PM

CEA-Leti oggi ha annunciato che le società hanno preso parte ad un accordo triennale caratterizzare i materiali avanzati a semiconduttore per il vertice della tecnologia 22nm e di là. CEA-Leti Europeo, con i sui due partner sulla Piattaforma di NanoCharacterization della Città Universitaria di MINATEC, CEA-Liten (nuovi materiali per le nuove energie) e CEA-INAC (Istituto di Nanoscience), applicherà la loro competenza nella diffrazione del nanobeam e di olografia.

FEI fornirà la tecnologia avanzata della diffrazione del nanobeam il suo microscopio elettronico della trasmissione di scansione del Titano (S/TEM), il mondo più potente, microscopio disponibile nel commercio. Le società misureranno i cambiamenti di sforzo in strutture a semiconduttore.

Il FEI Titam TEM

“La ricerca metterà a fuoco su due aree importanti: uso di olografia con la sorgente unica dell'elettrone del XFEG del Titano migliorare la sensibilità di dopant che profila e l'uso delle tecniche di diffrazione del nanobeam misurare i cambiamenti nello sforzo ed in altri parametri cristallografici,„ ha detto George Scholes, vice presidente e direttore generale per la serie di prodotti dello S/TEM di FEI. “Con il Titano, FEI è una guida in queste aree ed aspettiamo con impazienza di partnering con CEA-Leti sulla loro piattaforma unica per la caratterizzazione e sul nanoscale nella continuazione avanzare la tecnologia.„

“Dobbiamo migliorare la sensibilità, l'accuratezza e la capacità di lavorazione di dopant profilanti per continuare a supportare le dimensioni restringenti dell'unità. E una migliore comprensione degli effetti di sforzo è critica nello sviluppo delle unità di IC di rendimento elevato poichè continuiamo a spingere la tecnologia nel vertice della tecnologia 22nm e di là,„ Rudy Kellner, vice presidente e direttore generale indicato di Divisione dell'Elettronica di FEI.

Secondo Laurent Malier, CEO di CEA-Leti, “Abbiamo scelto di lavorare con FEI su questo progetto di ricerca triennale, non solo a causa del loro microscopio potente e disponibile nel commercio, ma anche a causa della loro competenza speciale nelle applicazioni della diffrazione del nanobeam. Insieme, pensiamo indirizzare parecchi blocchi stradali tecnici critici che affrontano l'industria a semiconduttore mentre continua a spingere la dimensione dell'unità e la busta ed anche le sfide della prestazione nella caratterizzazione dei materiali utilizzati più generalmente in nanoelectronics e per i nanosciences.„

Last Update: 12. January 2012 18:49

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