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La Plataforma de Endura Avenir Aumenta Contactos del Transistor 22nm

Published on March 28, 2011 at 2:46 AM

Por Cameron Chai

Los Materiales Aplicados han agregado recientemente a las aplicaciones de su plataforma Aplicada de Endura Avenir RF PVD para incorporar la deposición de las aleaciones (NiPt) del níquel-platino, para aumentar los contactos del transistor que escalaban al nodo de la tecnología 22nm.

Plataforma de Endura Avenir RF PVD de la AM

Las películas de NiPt aumentan funcionamiento pero deja un residuo en la parte inferior de la alta relación de aspecto (HAR). El Avenir entrega tolerancia constante del contacto y rendimiento máximo. Entrega el cubrimiento inferior más de 50% hacia adentro profundamente, los agujeros del contacto de HAR en una manera rentable.

El Rajá de Prabu, el vicepresidente y el director general de la división de Productos de la Deposición del Metal, la tecnología ofrece a fabricantes de chips una manera segura de desarrollar resistente, transistor de la inferior-resistencia hace contacto con para la construcción rápida. Beneficiará a aplicaciones del contacto en diversos decorados de la lógica y de la fundición.

Se ha embutido en el Endura, una tecnología de PVD con la radiofrecuencia creciente que fue introducida en 2010, para combinar tecnología del transistor de la entrada del metal con las soluciones de alto rendimiento de la lógica. Esta característica permite que los reveladores depositen las hojas constantes de NiPt en el más bajo de los agujeros delgados, profundos del contacto con un diámetro menos que 30nm. Esta característica es ideal para la tolerancia del contacto y el funcionamiento inferiores del transistor del máximo.

Fuente: http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 12. January 2012 17:48

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