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Posted in | Nanoelectronics

艾文莉平台的Endura提高22nm的晶体管联系

Published on March 28, 2011 at 2:46 AM

由Cameron湾仔

应用材料公司最近增加了其应用的Endura艾文莉射频物理气相沉积平台,采用镍,铂金(NiPt)合金的沉积,增加晶体管的交往扩展到22纳米技术节点的应用程序。

AM的的Endura艾文莉射频PVD平台

NiPt电影提高性能,但它留下了残留的高宽比(HAR)的底部。 AVENIR提供一致的接触宽容和最大输出。它提供了在深,接触孔(HAR)在成本效益的方式的底部覆盖率超过50%。

Prabu拉贾,金属沉积产品部副总裁兼总经理,该技术的芯片制造商提供一个安全的方式来发展坚韧,低电阻快速施工的晶体管接触。这将有利于接触应用,在不同的逻辑和铸造情景。

它已经嵌入到的Endura,与无线电频率增加是在2010年推出的PVD技术,结合高性能的逻辑解决方案的金属栅极晶体管技术。此功能允许开发人员在低端苗条,直径小于30nm的接触孔深一致NiPt张存款。此功能是低接触的宽容和最大的晶体管性能的理想选择。

来源: http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 4. October 2011 17:23

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