Posted in | Bionanotechnology

De conformación de plasma de dopaje para las tres dimensiones Transistores

Published on March 28, 2011 at 3:05 AM

Por Cameron Chai

El Aplicada Centura Conforma el sistema puesto en marcha recientemente por Applied Materials, cuenta con el conforme de Dopaje de plasma (la tecnología CPD.

Esta tecnología ayuda a los diseñadores desarrollar diseños tridimensionales en la lógica y los chips de memoria. Ofrece altas dosis, el dopaje eficiente de la energía in-situ de limpieza en el compartimiento de vacío de un dopaje de rendimiento consistente. Su dopaje limpio, puro conserva su diseño inherente.

Sundar Ramamurthy, vicepresidente y gerente general de la división Front End Productos en Applied Materials dice las características permiten su uso tanto en la producción inicial y de gran volumen, y ambas estructuras planas y tridimensionales.

Tecnología de la compañía ofrece un procedimiento suave y eficiente de la energía que facilita el dopaje constante a lo largo complicada tres chips tridimensionales. Incorpora incrustado plasma pre-limpieza con RTP recocido en el mismo sistema de vacío para las secuencias integradas. Esto permite procesar obleas de deshacerse de los residuos peligrosos.

La solución es adecuada para aplicaciones tales como la lógica FinFET, vertical y horizontal DRAM puerta NAND matrices de memoria flash.

Fuente: http://www.appliedmaterials.com/

Last Update: 6. October 2011 14:17

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit