Posted in | Bionanotechnology

Plasma Conformé Dopant pour les Transistors En trois dimensions

Published on March 28, 2011 at 3:05 AM

Par Cameron Chai

Le système Appliqué de Centura Conforma récent lancé par les Matériaux Appliqués, caractéristiques techniques le Dopage Conformé de Plasma (technologie de DPC.

Cette technologie aide des créateurs à élaborer des designs en trois dimensions dans la logique et des puces mémoire. Elle offre enduire à forte dose et de rendement optimum du nettoyage in-situ en un compartiment d'aspirateur pour le dopage cohérent de débit. Son dopage propre et pur maintient son design inhérent.

Sundar Ramamurthy, vice président et directeur général de l'unité commerciale Avant de Produits Finis aux Matériaux Appliqués indique que les caractéristiques techniques permettent son utilisation dans l'initiale et la production à fort débit, et les structures planaires et en trois dimensions.

La technologie de la compagnie offre une procédure douce et de rendement optimum qui facilite le dopage cohérent au-dessus des puces en trois dimensions compliquées. Elle comporte le plasma encastré nettoient avec le RTP recuisent dans le même système d'aspirateur pour des séquences intégrées. Ceci permet aux disques traités d'être débarrassés des résidus dangereux.

La solution convient pour des applications telles que la logique de finFET, la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE verticale de porte et les alignements verticaux de mémoire flash de NON-ET.

Source : http://www.appliedmaterials.com/

Last Update: 12. January 2012 18:08

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