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Posted in | Graphene

Graphene nanoribbons आचरण बिजली

Published on March 28, 2011 at 7:10 AM

कैमरून चाय

वॉल्ट डी हीर, जॉर्जिया प्रौद्योगिकी संस्थान में भौतिकी के स्कूल में एक प्रोफेसर का कहना है कि उनकी टीम पतली, प्रवाहकीय nanoribbons विशेषता क्वांटम बैलिस्टिक गुण विकसित की है.

Templated epitaxial graphene के से nanoribbons बनाने के लिए विकास की इस विधि व्यापक 40nanometers से 15 मापने संरचनाओं बनाया गया है. संरचनाओं बिजली अनायास आचरण. वे graphene के पारंपरिक तरीकों से निर्मित उपकरणों से कनेक्ट कर सकता है.

इस खोज अक्तूबर 3 नैनो प्रकृति के ऑनलाइन संस्करण में प्रकाशित किया गया था. यह चिकनी किनारों होने epitaxial graphene के डिजाइन विकसित करने में मदद करता है. संकीर्ण रिबन एक धातु की तरह काम करते हैं. इलेक्ट्रॉनों के माध्यम से उन्हें dispersing बिना जैसे कार्बन नैनोट्यूब में यात्रा कर सकते हैं.

डी हीर 21 मार्च को डलास में अमेरिकी भौतिक सोसाइटी की बैठक में इस खोज पर चर्चा की. टीम सामग्री अनुसंधान विज्ञान और इंजीनियरिंग सेंटर (MRSEC) राष्ट्रीय विज्ञान फाउंडेशन द्वारा समर्थित से धन प्राप्त किया. किनारों है कि प्रभाव grapheme के गुण हटा दिया गया है. सिलिकॉन कार्बाइड में किनारों मिश्रण.

पैटर्न सिलिकॉन कार्बाइड सतहों में etched है, जिस पर epitaxial graphene के खेती की जाती है. रूपांकनों टेम्पलेट्स है कि graphene विकास की निगरानी और विशिष्ट चौड़ाई और आकृतियों की आवश्यकता काटने है कि किसी न किसी किनारों का कारण बनता के बिना बनाया जा nanoribbons की अनुमति हो जाते हैं. पारंपरिक माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक तरीकों शुरू सिलिकॉन कार्बाइड वफ़र में खोदना नैनो कदम या आकृति के लिए इस्तेमाल किया गया. वफ़र सतह चपटा किया गया था. के बारे में 1500 contoured वफ़र गर्म ° C, पिघलने कि नक़्क़ाशी द्वारा कारण किसी न किसी किनारों smoothens के लिए अग्रणी. Graphene सतह से सिलिकॉन को हटाने के द्वारा फार्म सिलिकॉन कार्बाइड खेती था. हीटिंग समय आकृति के कुछ क्षेत्रों पर बढ़ने के graphene अनुमति देने के लिए प्रतिबंधित किया गया था.

nanoribbon चौड़ाई समोच्च सटीक निगरानी के लिए अग्रणी गहराई पर निर्भर करता है. एकाधिक नक़्क़ाशी जटिल संरचनाओं की ओर जाता है है. क्वांटम उत्पादों नैनो आकार और कुशल शक्ति हो जाएगा. Epitaxial graphene क्वांटम उत्पादों के लिए उपयुक्त हो जाएगा.

स्रोत: http://www.gatech.edu/

Last Update: 3. October 2011 02:28

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