Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
Posted in | Microscopy

En forma de huevo-Nano-imanes permitir que la energía-eficiente memorias de las computadoras

Published on April 29, 2011 at 8:45 AM

Por Cameron Chai

Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (NIST), los investigadores recientemente lotes de colores con forma de huevo de nano-partículas para permitir que los recuerdos de la energía eficiente equipo.

El equipo utilizó la litografía por haz de electrones para crear níquel-hierro imanes medición de 200 nm de diámetro, que se asemeja a una elipse. Los imanes de los tres huevos como las formas con los extremos más pronunciados fueron utilizadas.

Simulación de los patrones magnéticos en forma de huevo imanes nanoescala NIST

El equipo descubrió que las distorsiones de minutos en la forma del imán puede alterar las propiedades magnéticas mediante el análisis de los imanes con un láser y las reacciones de los espines de los electrones a una propiedad cuántica que causa la orientación magnética. Alteraciones giro podría fluir a través del imán en múltiples frecuencias. Cuanto más el imán se parece a un huevo, el más complicado fueron los patrones de ondas y frecuencias, con los cambios más visibles en los extremos.

El equipo de simulación de diferentes imanes con orientación a objetos marco micromagnetic (OOMMF) del NIST. Los colores claros muestran fuertes señales de frecuencia.

La investigación analizó los patrones de comportamiento de los grandes arreglos de nanoimanes, que podrían ser formados de manera imperfecta, debido a la litografía. Imperfecciones como estos podrían afectar los cambios en los dispositivos magnéticos. La investigación podría ayudar a desarrollar las memorias de acceso aleatorio (RAM), basado en la comunicación entre los espines de los electrones y las superficies imantadas.

Físico del NIST, Tom Silva dijo que la distorsión previsto en los elementos de giro de memoria RAM podría conducir a una conmutación fiable.

Fuente: http://www.nist.gov

Last Update: 7. October 2011 01:58

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit