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Posted in | Graphene

Las Propiedades de Quantum de Bilayer Graphene Se Pueden Aprovechar Para Crear el Nuevo Transistor de Efecto de Campo de Quantum

Published on April 30, 2011 at 5:46 AM

Por Cameron Chai

Las personas en el National Institute of Standards and Technology (NIST) han descubierto que los rasgos electrónicos de dos capas del grafema difieren en la escala nana.

Los resultados muestran que no la diferencia en la fuerza de las cargas eléctricas entre las dos capas difiere sobre las capas, pero también invierten en la dirección para desarrollar los charcos al azar de cargas positivas y negativas. El trabajo de investigación se ha publicado en la Física de la Naturaleza, y revela que el revelado podría ayudar a utilizar grafema en dispositivos electrónicos del consumidor.

Las capas de Graphene con el substrato que aísla hacen los electrones (rojos) y los agujeros de electrón (azules) cerco en charcos

El investigador Nikolai Zhitenev del NIST dice que las variaciones en el potencial eléctrico de los graphene podrían causar voluntariamente las separaciones de banda debido a la comunicación entre los electrones del graphene o con el substrato el graphene está puesto sobre.

Según la persona José Stroscio, las mediciones del NIST muestre que las acciones recíprocas entre el substrato que aísla al azar llevan a los charcos de electrones y de agujeros de electrón en las capas del graphene. Ambos están en de una mayor profundidad en la capa más inferior debido a su proximidad al substrato. Esta diferencia con profundidades del centro común entre las capas lleva a las cargas de alternancia al azar y a la separación de banda espacial que difiere. Controlar la pureza del substrato podría permitir que las personas vigilen la separación de banda y ayudar a convertirse graphene-basó los transistores que pueden ser con./desc. cambiado como un semiconductor.

Stroscio dice que si la comunicación del substrato podría ser disminuida, las propiedades del quantum del graphene del bilayer se podrían utilizar para desarrollar un transistor de efecto de campo de quantum.

Fuente: http://www.nist.edu

Last Update: 12. January 2012 17:13

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