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Posted in | Graphene

Bilayer Graphene の Quantum の特性は新しい量子場の効果のトランジスターを作成するために利用されるかもしれません

Published on April 30, 2011 at 5:46 AM

カメロンシェ著

国立標準技術研究所 (NIST) のチームは 2 つのグラフィームの層の電子特性が nano スケールで異なることを検出しました。

結果は 2 つの層間の電荷の強さのない相違が層に異なるが、また方向で肯定的なおよび負電荷の任意水溜を開発するために逆転しますことを示します。 研究報告は性質の物理学で出版され、開発が消費者電子デバイスのグラフィームの利用を助けることができることを明らかにします。

絶縁の基板との Graphene の層により電子 (赤い) および正孔は (青い) 水溜で集まります

Nikolai Zhitenev NIST の研究者は graphene の電気潜在性の変化により自発的に graphene の電子間の通信連絡によるバンドギャップを引き起こすことができるか、または基板と graphene が置かれることを言います。

NIST 仲間ヨセフ任意絶縁の基板間の相互作用が graphene の層の電子そして正孔の水溜に導くことを Stroscio の測定に従って示して下さい。 両方とも基板への近さによる最も低い層のすばらしい深さにです。 層間のプールの深さのこの相違は任意交互になる料金および空間的に相違のバンドギャップの原因となります。 基板純度を制御することはチームがバンドギャップを監察し、半導体のように切替えられたオン/オフである場合もある graphene ベースのトランジスターを発達させるのを助けることを可能にすることができます。

Stroscio は基板の通信連絡が最小化できれば量子場の効果のトランジスターを発達させるのに bilayer の graphene の量の特性が使用できると言います。

ソース: http://www.nist.edu

Last Update: 12. January 2012 17:38

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