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이중층의 Graphene의 양자 성질은 새로운 양자 전계 효과 트랜지스터를 만드는 무력화 될 수있다

Published on April 30, 2011 at 5:46 AM

카메론 차이에 의해

국립 표준 기술 연구소의 팀 (NIST) 2 grapheme 레이어의 전자 특성은 나노 규모의 차이 것을 발견했다.

결과는 두 레이어 사이의 전기 요금 강도에없는 차이가 레이어를 통해 다르다는 것을 보여줄 있지만, 그들은 또한 긍정과 부정적인 요금의 임의의 푸들을 개발하는 방향으로 리버스. 연구 논문은 자연 물리학에 게시하고, 개발은 소비자 전자 장치에서 grapheme를 활용하여 도움이 될 것을 보여줍니다.

절연 기판 인해 전자 (적색)와 전자 구멍 Graphene 레이어 (파란색) 웅덩이에서 수집하는

NIST 연구원 니콜라이 Zhitenev는 graphene의 전기 잠재력에 변화가 자발적으로 graphene 전자 사이 또는 graphene가에 위치 기판과의 의사 소통으로 인해 밴드 격차를 일으킬 수 말합니다.

NIST 사람 요셉 Stroscio에 의하면, 측정 임의의 절연 기판 사이의 상호 작용은 전자와 graphene 레이어에 전자 구멍의 웅덩이에 이르게 것을 보여줍니다. 두 기판에의 근접으로 인해 가장 낮은 계층에 더 깊이에의 수 있습니다. 레이어 사이의 수영장 깊이에서이 차이는 무작위로 번갈아 요금 및 spatially 다양한 밴드 갭 발생합니다. 기판 순결을 제어하면 팀이 밴드 격차를 모니터링하도록하고 반도체와 같은 또는 해제를 전환 할 수 graphene 기반 트랜지스터 개발을 도움을 줄 수 있습니다.

Stroscio는 기판 통신이 최소화 될 수있다면, 이중층의 graphene의 양자 특성은 양자 전계 효과 트랜지스터를 개발하는 데 사용할 수 있다고 말합니다.

출처 : http://www.nist.edu

Last Update: 4. October 2011 11:13

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