Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
Posted in | Graphene

Свойства Кванта Bilayer Graphene May быть Обузданы для того чтобы Создать Новый Транзистор Влияния Поля Кванта

Published on April 30, 2011 at 5:46 AM

Камероном Chai

Команда на Национальном институте стандартов и технологий (NIST) открывала что электронные черты 2 слоев графема отличают на nano маштабе.

Результаты показывают что не разница в прочности электрических зарядов между 2 слоями отличает над слоями, но они также обращают в направлении для того чтобы начать случайные лужицы положительных и отрицательных зарядов. Исследование было опубликовано в Физике Природы, и показывает что развитие смогло помочь использовать графем в электронных устройствах едока.

Слои Graphene с изолируя субстратом причиняют электроны (красные) и отверстия электрона (голубые) собрать в лужицах

Исследователь Nikolai Zhitenev NIST говорит что изменения в потенциале graphene электрическом смогло добровольно причинить зазоры диапазона должные к сообщению между электронами graphene или с субстратом graphene помещено на.

Согласно собрату Иосиф Stroscio NIST, измерениям покажите что взаимодействия между случайным изолируя субстратом водят к лужицам электронов и отверстий электрона в слоях graphene. Оба на большой глубины на самом низком слое должном к своей близости к субстрату. Эта разница в глубинах бассеина между слоями водит к случайным чередуя обязанностям и пространственно отличая зазору диапазона. Контролировать очищенность субстрата смогл позволить команде контролировать зазор диапазона и помочь превратиться graphene-основал транзисторы которые могут быть переключенные включено-выключено как полупроводник.

Stroscio говорит что если связь субстрата смогла быть уменьшена, то свойства суммы graphene bilayer смогли быть использованы для того чтобы развить транзистор влияния поля суммы.

Источник: http://www.nist.edu

Last Update: 12. January 2012 17:46

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit