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Posted in | Graphene

Bilayer Graphene Quantum 屬性可能被利用創建新的量子場作用晶體管

Published on April 30, 2011 at 5:46 AM

卡梅倫柴

在國家標準技術局 (NIST) 的小組發現二字母層電子性格在納諾等級有所不同。

結果向顯示在電荷力量上的不是區別在二塊層之間有所不同在層,但是他們在方向也撤消開發正和負電荷任意水坑。 研究論文在本質物理被發布了,并且表示發展可能幫助使用在消費者電子設備的字母。

與绝緣的基體的 Graphene 層在水坑造成電子 (紅色) 和電子空穴 (藍色) 收集

NIST 研究員尼古拉 Zhitenev 說在 graphene 的電子潛在上的變化可能自動地導致帶隙由於 graphene 電子之間的通信或與這個基體 graphene 安置。

根據 NIST 研究員約瑟夫 Stroscio,評定请向顯示任意绝緣的基體之間的交往導致電子和電子空穴水坑在 graphene 層。 兩個是在這塊最低的層的更加了不起的深度由於其與這個基體的接近度。 此區別在層之間的池深度導致任意交替的充電和空間不同於的帶隙。 控制基體純度可能允許這個小組監控帶隙,并且幫助開發 graphene 根據可以是被切換的開/關像半導體的晶體管。

Stroscio 說,如果基體通信可能減到最小, bilayer graphene 數量屬性可能用於發展量子場作用晶體管。

來源: http://www.nist.edu

Last Update: 26. January 2012 18:37

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