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Posted in | Nanomaterials | Nanoenergy

Samsungs 30nm - Klasse DDR3 D-RAM Blöcke Verbrauchen Weniger Energie

Published on June 13, 2011 at 7:21 AM

Durch Cameron Chai

Samsung Electronics Amerika, eine Firma, die digitale Unterhaltungselektronik herstellt, freigegeben 30 nm-klasse synchronen Blöcken des dynamischen Direktzugriffsspeichers DDR3 (D-RAM), die schnell und Energiesparend und in den PC verwendet sind.

Entsprechend Älterem VP Samsungs der beweglichen Unterhaltungsmarketing-Abteilung, kombiniert Reid Sullivan, Blöcke des D-RAM 30nm-class die Vorteile der überlegenen Kleinleistungs-Technologie DDR3 mit hohen Geschwindigkeiten von 1.600 Mbps.

Diese Blöcke des D-RAM DDR3 werden in 2 und 4 GB-Kapazitäten angeboten. Tischplattenpc verwenden sehr flache (VLP) ungepufferte Doppelreihenoptionen des speicherblocks (UDIMM) und Notizbuch PC verwenden kleine Optionen des Entwurfs DIMM (SODIMM). Die Blöcke sind rückwärts mit den Anlagen kompatibel, die für existierenden Speicher DDR3 und DDR2 entwickelt werden.

Die Verfahrenstechnik 30nm-class entbindet hohe Speicherkapazität und bezieht sich auf Leistungsaufnahme der geringen Energie. Die Blöcke des D-RAM DDR3 von Samsung verbrauchen zwei drittel weniger Leistung als jene Blöcke, die unter Verwendung der Standard-Technologie 60nm-class hergestellt werden. Diese Energiesparenden Speicherblöcke einigen nicht sich über Leistung. Die neuen Blocküberweisungsdaten 20% schneller als existierendes das 40nm-class DDR3 der Firma D-RAM.

Quelle: http://www.samsung.com

Last Update: 12. January 2012 16:59

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