Posted in | Nanomaterials | Nanoenergy

Samsung 30nm - classe DDR3 DRAM modules consomment moins d'énergie

Published on June 13, 2011 at 7:21 AM

Par Cameron Chai

Samsung Electronics America, une entreprise qui fabrique de l'électronique numérique grand public, a publié 30 nm de classe DDR3 Synchronous Dynamic Random - Access Memory (DRAM) de modules, qui sont rapides et économes en énergie et utilisés dans les PC.

Selon vice-président senior de Samsung division du divertissement mobile marketing, Reid Sullivan, modules DRAM 30nm classe combine les avantages de faible puissance supérieure de technologie DDR3 avec des vitesses élevées de 1600 Mbps.

Ces modules DRAM DDR3 sont proposés dans des capacités Go en 2 et 4. Ordinateurs de bureau utilisent le profil très bas (VLP) unbuffered Dual In-line Memory Module (UDIMM) les options et les ordinateurs portables utilisent DIMM petit aperçu (SODIMM) options. Les modules sont compatibles avec les systèmes développés pour la mémoire DDR3 et DDR2 existants.

Le procédé technologique 30nm de classe offre une capacité de mémoire élevée et est associée à une faible consommation électrique. Les modules de DRAM DDR3 de Samsung consomment les deux tiers inférieurs à ceux des modules fabriqués en utilisant la norme 60nm technologie de classe. Ces modules de mémoire à haut rendement énergétique ne transigeons pas sur la performance. Les données de nouveaux modules de transfert de 20% plus rapide que l'entreprise existante 40nm classe DRAM DDR3.

Source: http://www.samsung.com

Last Update: 23. October 2011 10:48

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit