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Posted in | Nanomaterials | Nanoenergy

三星的 30nm - 选件类 DDR3 微量模块消耗较少能源

Published on June 13, 2011 at 7:21 AM

卡梅伦柴

三星电子美国,制造数字式家电的公司,被发行 30 个 nm 班的 DDR3 同步动态随机存储器 (微量) 模块,是迅速和省能源和使用在个人计算机。

根据三星的移动招待营销部门高级 VP,雷德莎莉文, 30nm 班的微量模块与高速 1,600 结合优越低功率 DDR3 技术的好处 Mbps。

这些 DDR3 微量模块在 2 和 4 GB 能力提供。 台式计算机使用非常低调 (VLP)无缓冲的双重轴向内存模块 (UDIMM) 选项,并且笔记本个人计算机使用小的概述 DIMM (SODIMM) 选项。 模块向后是与为现有的 DDR3 和 DDR2 内存开发的系统兼容。

这种 30nm 班的加工技术提供高端内存能力和与低功率冲减相关。 从三星的 DDR3 微量模块比使用标准 60nm 班的技术被制造的那些模块消耗三分之二较少功率。 这些省能源的内存模块在性能不影响。 新的模块比公司的现有的 40nm 班的 DDR3 微量转移数据 20% 更快。

来源: http://www.samsung.com

Last Update: 12. January 2012 16:51

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