卡梅倫柴
三星電子美國，製造數字式家電的公司，被發行 30 個 nm 班的 DDR3 同步動態隨機存儲器 (微量) 模塊，是迅速和省能源和使用在個人計算機。
根據三星的移動招待營銷部門高級 VP，雷德莎莉文， 30nm 班的微量模塊與高速 1,600 結合優越低功率 DDR3 技術的好處 Mbps。
這些 DDR3 微量模塊在 2 和 4 GB 能力提供。 臺式計算機使用非常低調 (VLP)無緩衝的雙重軸向內存模塊 (UDIMM) 選項，并且筆記本個人計算機使用小的概述 DIMM (SODIMM) 選項。 模塊向後是與為現有的 DDR3 和 DDR2 內存開發的系統兼容。
這種 30nm 班的加工技術提供高端內存能力和與低功率衝減相關。 從三星的 DDR3 微量模塊比使用標準 60nm 班的技術被製造的那些模塊消耗三分之二較少功率。 這些省能源的內存模塊在性能不影響。 新的模塊比公司的現有的 40nm 班的 DDR3 微量轉移數據 20% 更快。
來源： http://www.samsung.com