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Posted in | Nanomaterials | Nanoenergy

三星的 30nm - 選件類 DDR3 微量模塊消耗較少能源

Published on June 13, 2011 at 7:21 AM

卡梅倫柴

三星電子美國,製造數字式家電的公司,被發行 30 個 nm 班的 DDR3 同步動態隨機存儲器 (微量) 模塊,是迅速和省能源和使用在個人計算機。

根據三星的移動招待營銷部門高級 VP,雷德莎莉文, 30nm 班的微量模塊與高速 1,600 結合優越低功率 DDR3 技術的好處 Mbps。

這些 DDR3 微量模塊在 2 和 4 GB 能力提供。 臺式計算機使用非常低調 (VLP)無緩衝的雙重軸向內存模塊 (UDIMM) 選項,并且筆記本個人計算機使用小的概述 DIMM (SODIMM) 選項。 模塊向後是與為現有的 DDR3 和 DDR2 內存開發的系統兼容。

這種 30nm 班的加工技術提供高端內存能力和與低功率衝減相關。 從三星的 DDR3 微量模塊比使用標準 60nm 班的技術被製造的那些模塊消耗三分之二較少功率。 這些省能源的內存模塊在性能不影響。 新的模塊比公司的現有的 40nm 班的 DDR3 微量轉移數據 20% 更快。

來源: http://www.samsung.com

Last Update: 26. January 2012 20:05

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