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Posted in | Microscopy

Sistema de Haz Enfocado Plasma de Ión del Lanzamiento de FEI

Published on June 13, 2011 at 10:11 PM

FEI (NASDAQ: FEIC), una compañía de cabeza de la instrumentación que proporcionaba a los sistemas de la microscopia para la investigación y la industria, release/versión hoy el sistema de haz enfocado plasma de ión (PFIB) de Vion que quita el material más de 20 tecnologías que existentes de la BOLA de las épocas más rápidamente.

(20-50x) un retiro material Más Rápido dirige los nuevos mercados para el análisis Bola-basado del incidente en las aplicaciones de empaquetado avanzadas del circuito integrado (IC) que utilizan las estructuras de una escala más grande para conectar virutas múltiples en conjuntos apretado integrados. La capacidad de Vion del sistema del PFIB de proporcionar al análisis seccionado transversalmente sitio-específico de estas nuevas tecnologías en minutos bastante que horas acelerará el revelado de proceso y reducirá el tiempo-a-mercado para los nuevos productos.

“El nuevo PFIB de Vion es el primer producto de FEI para incorporar tecnología de la fuente del plasma,” dijo a Rudy Kellner, vicepresidente y director general para la División de la Electrónica de FEI. “Con más que un microamperio de la corriente del haz, puede quitar las fuentes de ión que líquidas del metal del material mucho más rápidamente que típicamente máximo fuera a algunas las diez de nanoamps, mientras que todavía preserva la resolución fresada excelente de la precisión y de la proyección de imagen en las corrientes inferiores del haz. La mejoría más que 20x en velocidad hace práctico al corte transversal y analiza las nuevas tecnologías críticas que tienen programas pilotos primarios convertidos del nuevo desarrollo de productos en la industria del semiconductor, tal como 3D que empaqueta y tecnologías de diseño del transistor 3D.”

Según el Dr. Peter Ramm, jefe del departamento para el dispositivo y 3D integración, Fraunhofer EMFT en Munich, “La velocidad fresada creciente proporcionada por el sistema del PFIB de Vion de FEI nos permite realizar análisis en minutos, en comparación con varias horas en una BOLA convencional. Esta capacidad es esencial para el análisis del incidente de los sistemas avanzados 3D-integrated en la producción, y FEI está release/versión el sistema de Vion en apenas el tiempo en que el mercado lo necesita.”

Combinando fresar y la deposición de alta velocidad con mando exacto y la proyección de imagen de alta calidad, el sistema del PFIB de Vion se puede utilizar en una variedad de aplicaciones críticas, por ejemplo: el análisis del incidente de los topetones, bonos del cable, con vias del silicio (TSVs), y empilado muere; sitúe el retiro específico del conjunto y otros materiales para activar análisis del incidente y el aislamiento de fallas en soterrado mueren; modificaciones del circuito y del conjunto a los cambios de diseño de la prueba sin relanzar la fabricación de proceso o crear nuevas máscaras; control y revelado de procesos operativos en el nivel del conjunto; y análisis de defecto de piezas embaladas y de dispositivos de MEMS.

Kellner agrega, “La industria de electrónica es un primer caso obvio del uso para el nuevo sistema del PFIB de Vion, sin embargo, vemos aplicaciones potenciales en la ciencia material y los recursos naturales también.”

Mientras Que la fuente del plasma del sistema del PFIB de Vion puede entregar más que un microamperio de la corriente en un haz bien-enfocado, puede todavía mantener excelente rendimiento en corrientes más inferiores usadas para los cortes finales de alta precisión y (sub-30 nanómetro) la proyección de imagen de alta resolución. Además, introduciendo los diversos gases, el sistema del PFIB de Vion puede grabar el ácido selectivamente los materiales específicos o depositar los conductores y los aisladores modelados. La fuente del plasma también ofrece el potencial de utilizar diversa especie del ión para aumentar funcionamiento en aplicaciones específicas.
El sistema del PFIB de Vion está disponible para ordenar inmediatamente.

Last Update: 12. January 2012 16:34

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