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Sistema de Feixe Focalizado Plasma do Íon do Lançamento de FEI

Published on June 13, 2011 at 10:11 PM

FEI (NASDAQ: FEIC), uma empresa principal da instrumentação que fornece sistemas da microscopia para a pesquisa e a indústria, liberaram hoje o sistema de feixe focalizado plasma do íon (PFIB) de Vion que remove o material mais de 20 vezes mais rapidamente do que existindo MENTIR tecnologias.

(20-50x) uma remoção material Mais Rápida endereça novos mercados para a análise Mentir-baseada da falha nas aplicações de empacotamento avançadas do circuito integrado (IC) que usam estruturas da escala maior para conectar microplaquetas múltiplas em pacotes firmemente integrados. A capacidade do sistema do PFIB de Vion para fornecer a análise de secção transversal local-específica destas novas tecnologias nas actas um pouco do que horas acelerará a revelação de processo e reduzirá o tempo-à-mercado para produtos novos.

“O PFIB novo de Vion é o primeiro produto de FEI para incorporar a tecnologia da fonte do plasma,” disse Rudy Kellner, vice-presidente e director geral para a Divisão da Eletrônica de FEI. “Com o mais do que um microampère da corrente do feixe, pode remover as fontes de íon do que líquidas do metal do material muito mais rapidamente que tipicamente máximo para fora em alguns dez dos nanoamps, ao ainda preservar a definição de trituração excelente da precisão e da imagem lactente em baixas correntes do feixe. A melhoria de mais do que 20x na velocidade faz prático ao secção transversal e analisa as novas tecnologias críticas que têm motoristas preliminares tornados do desenvolvimento de produtos novo na indústria do semicondutor, tal como 3D que empacotam e tecnologias de design do transistor 3D.”

De acordo com o Dr. Peter Ramm, cabeça do departamento para o dispositivo e 3D integração, Fraunhofer EMFT em Munich, “A velocidade de trituração aumentada fornecida pelo sistema do PFIB do Vion de FEI deixa-nos executar a análise nas actas, ao contrário de diversas horas em um convencional MENTE. Esta capacidade é essencial para a análise da falha dos sistemas 3D-integrated avançados na produção, e FEI está liberando o sistema de Vion apenas no tempo em que o mercado o precisa.”

Combinando a trituração e o depósito de alta velocidade com o controle preciso e a imagem lactente de alta qualidade, o sistema do PFIB de Vion pode ser usado em uma variedade de aplicações críticas, como: a análise da falha das colisões, ligações do fio, com os vias do silicone (TSVs), e empilhado morre; situe a remoção específica do pacote e outros materiais para permitir a análise da falha e o isolamento de falha no enterrado morrem; alterações do circuito e do pacote às mudanças de projecto do teste sem repetir o processo da fabricação ou criar máscaras novas; monitoração e revelação de processo a nível do pacote; e análise de defeito das peças empacotadas e dos dispositivos de MEMS.

Kellner adiciona, “A indústria electrónica é um primeiro exemplo óbvio do uso para o sistema novo do PFIB de Vion, contudo, nós vemos aplicações potenciais na ciência de materiais e em recursos naturais também.”

Quando a fonte do plasma do sistema do PFIB de Vion puder entregar mais do que um microampère da corrente em um feixe bem-focalizado, pode ainda manter o desempenho excelente em umas mais baixas correntes usadas para cortes finais da elevada precisão e (sub-30 nanômetro) a imagem lactente de alta resolução. Além, introduzindo vários gáss, o sistema do PFIB de Vion pode selectivamente gravar materiais específicos ou depositar condutores e isoladores modelados. A fonte do plasma igualmente oferece o potencial usar a espécie diferente do íon para aumentar o desempenho em aplicações específicas.
O sistema do PFIB de Vion está disponível para pedir imediatamente.

Last Update: 12. January 2012 13:59

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