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Posted in | Microscopy

FEI 生成等离子集中的离子束系统

Published on June 13, 2011 at 10:11 PM

FEI (那斯达克: FEIC),提供显微学系统的一家主导的手段公司为研究和行业,今天发行了快速地取消材料超过 (PFIB) 20 次比现有的小谎技术的 Vion 等离子集中的离子束系统。

更加快速的 (20-50x) 物质删除解决基于小谎的故障分析的新市场在使用大规模结构连接在紧密地集成的程序包的多个筹码的先进的集成电路 (集成电路) 包装的应用。 Vion 全氟异丁烯系统的能力提供对这些新技术的站点特定横截分析在分钟而不是几小时将加速工艺过程开发并且减少新产品的定期对市场。

“新的 Vion 全氟异丁烯是合并等离子来源技术的第一个 FEI 产品”,总经理说鲁迪 Kellner,和 FEI 的电子分部副总裁。 “与更多比一 microamp 射线当前,它可能快速地去除典型地竭尽全力在一些十倍 nanoamps,当仍然保留非常好的碾碎的精确度和想象解决方法在低射线当前时的材料比液体金属离子源。 更多的改善比在速度的 20x 使实用对横断面并且分析有新产品开发成为的主要驱动器在半导体行业,例如包装的 3D 和 3D 晶体管设计技术的重要新技术”。

根据彼得部门的 Ramm、负责人设备的和 3D 综合化, Fraunhofer EMFT 博士在慕尼黑, “FEI 的 Vion 全氟异丁烯系统提供的这张增加的碾碎的速度让我们在分钟执行分析,与在一个常规小谎的几时数相对。 此功能对对在生产的先进的 3D 集成系统的故障分析是重要的,并且 FEI 发行 Vion 系统在时候,当这个市场需要它”。

通过结合高速碾碎和证言与准确的控制和优质想象, Vion 全氟异丁烯系统可以用于各种各样的重要应用,例如: 对爆沸,电汇债券的故障分析,通过硅 vias (TSVs) 和堆积中断; 选址程序包特定删除,并且启用故障分析和故障隔离的其他材料在埋没中断; 对测试设计变动的电路和程序包修改没有重复处理的制造或创建新的屏蔽; 程序控制和发展在程序包级别; 并且对被包装的零件和 MEMS 设备的缺陷分析。

Kellner 补充说, “电子工业是新的 Vion 全氟异丁烯系统的明显的第一使用情况,然而,我们在材料学和自然资源看到潜在的应用”。

当 Vion 全氟异丁烯系统的等离子来源比一 microamp 可能传送更多在一条集中的射线时的当前,它可能仍然维护非常好的性能在用于高精密度的最终剪切和高分辨率 (子30 nm) 想象的更低的当前。 另外,通过引入多种气体, Vion 全氟异丁烯系统可能选择性地铭刻特定材料或存款被仿造的导体和装绝缘体工。 等离子来源也提供潜在使用另外离子种类提高在特定应用的性能。
Vion 全氟异丁烯系统为立即预定是可用的。

Last Update: 12. January 2012 16:51

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