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FEI 生成等離子集中的離子束系統

Published on June 13, 2011 at 10:11 PM

FEI (那斯達克: FEIC),提供顯微學系統的一家主導的手段公司為研究和行業,今天發行了快速地取消材料超過 (PFIB) 20 次比現有的小謊技術的 Vion 等離子集中的離子束系統。

更加快速的 (20-50x) 物質刪除解決基於小謊的故障分析的新市場在使用大規模結構連接在緊密地集成的程序包的多個籌碼的先進的集成電路 (集成電路) 包裝的應用。 Vion 全氟異丁烯系統的能力提供對這些新技術的站點特定橫截分析在分鐘而不是幾小時將加速工藝過程開發并且減少新產品的定期對市場。

「新的 Vion 全氟異丁烯是合併等離子來源技術的第一個 FEI 產品」,總經理說魯迪 Kellner,和 FEI 的電子分部副總裁。 「與更多比一 microamp 射線當前,它可能快速地去除典型地竭盡全力在一些十倍 nanoamps,當仍然保留非常好的碾碎的精確度和想像解決方法在低射線當前時的材料比液體金屬離子源。 更多的改善比在速度的 20x 使實用對橫斷面并且分析有新產品開發成為的主要驅動器在半導體行業,例如包裝的 3D 和 3D 晶體管設計技術的重要新技術」。

根據彼得部門的 Ramm、負責人設備的和 3D 綜合化, Fraunhofer EMFT 博士在慕尼黑, 「FEI 的 Vion 全氟異丁烯系統提供的這張增加的碾碎的速度讓我們在分鐘執行分析,與在一個常規小謊的幾時數相對。 此功能對對在生產的先進的 3D 集成系統的故障分析是重要的,并且 FEI 發行 Vion 系統在時候,當這個市場需要它」。

通過結合高速碾碎和證言與準確的控制和優質想像, Vion 全氟異丁烯系統可以用於各種各樣的重要應用,例如: 對爆沸,電匯債券的故障分析,通過硅 vias (TSVs) 和堆積中斷; 選址程序包特定刪除,并且啟用故障分析和故障隔離的其他材料在埋沒中斷; 對測試設計變動的電路和程序包修改沒有重複處理的製造或創建新的屏蔽; 程序控制和發展在程序包級別; 并且對被包裝的零件和 MEMS 設備的缺陷分析。

Kellner 補充說, 「電子工業是新的 Vion 全氟異丁烯系統的明顯的第一使用情況,然而,我們在材料學和自然資源看到潛在的應用」。

當 Vion 全氟異丁烯系統的等離子來源比一 microamp 可能傳送更多在一條集中的射線時的當前,它可能仍然維護非常好的性能在用於高精密度的最終剪切和高分辨率 (子30 nm) 想像的更低的當前。 另外,通過引入多種氣體, Vion 全氟異丁烯系統可能選擇性地銘刻特定材料或存款被仿造的導體和裝绝緣體工。 等離子來源也提供潛在使用另外離子種類提高在特定應用的性能。
Vion 全氟異丁烯系統為立即預定是可用的。

Last Update: 26. January 2012 20:05

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