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Efecto del Estudio de los Investigadores de la Concentración de Nanotube sobre Funcionamiento del Transistor

Published on July 4, 2011 at 5:04 AM

Por Cameron Chai

Los Estudiantes en las personas en la Universidad de California, Irvine de Peter Burke junto con el estudiante de tercer ciclo, Nima Rouhi, han estado observando los transistores, que los canales de la característica hicieron usando la tinta del nanotube del carbón.

Las personas están apuntando desarrollar las técnicas optimizadas para fabricar el equipo imprimible, flexible en las temperaturas que no afectan a los substratos plásticos.

Laboratorio de Burke

A pesar del enredo, estas redes del nanotube son eficientes en transportar electrones a partir de un tubo a otro a través de un canal. Esta característica se ha utilizado para fabricar el equipo simple.

Pero, Rouhi dice, todavía no han entendido cómo la concentración de los nanotubes en el canal afecta al funcionamiento del transistor. Inicialmente, no podrían comprender si la densidad del nanotube afectaría al funcionamiento del transistor. Las personas descubrieron que los transistores ofrecieron una amplia gama de propiedades en fulminantes, algunos necesitaron más potencia cuando conectado y algo eran resistentes apagar. Rouhi observó que los canales de alta velocidad ofrecieron el número máximo de nanotubes.

Las personas controlaron las propiedades superficiales de la oblea de silicio y la concentración del nanotube en la tinta, y descubrieron que podrían efectuar buen mando sobre las propiedades electrónicas de su equipo. Los Transistores con una densidad inferior del nanotube tienen relaciones de transformación actuales encendido-apagado grandes que sean muy convenientes para las aplicaciones digitales. Los transistores que ofrecen los canales de alta densidad ofrecen la alta movilidad de electrón, que es útil para el uso en el equipo de la radiofrecuencia como etiquetas del RFID.

El equipo de alta velocidad desarrollado por las personas ofreció las altas movilidades de electrón de la orden de 90 cm2/Vs, que es aproximadamente 100 veces más arriba que ésos ofrecidos por el silicio amorfo utilizado en electrónica de la película fina y casi cuatro veces la movilidad de electrón ofrecida por los óxidos amorfos. Los detalles completos de la investigación de las personas fueron registrados en Materiales Avanzados el año pasado.

generalmente con concentraciones de nanotubes, los electrones viajaron a velocidades más rápidas a través de los canales del transistor. Las personas descubrieron que cuando más de 100 nanotubes pila de discos a un micrón cuadrado en un canal, la diferencia entre conectado la corriente y de la corriente del transistor cayó sostenidamente. Las personas esperan que las tintas de gran pureza y pocos agentes contaminadores en los canales podrían entregar un mejor funcionamiento en transistores.

Fuente: http://spectrum.ieee.org/

Last Update: 12. January 2012 11:02

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