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研究員 Nanotube 濃度的研究作用對晶體管性能

Published on July 4, 2011 at 5:04 AM

卡梅倫柴

學員在加州大學的彼得伯克的小組,以及研究生, Nima Rouhi 的爾灣,觀察晶體管,使用碳 nanotube 墨水,功能通道做。

這個小組打算開發製造可打印,靈活的設備的優化技術在不影響塑料基體的溫度。

伯克實驗室

竟管被纏結,這些 nanotube 網絡是高效的在運輸從一支管的電子到另一個通過通道。 此特性使用製造簡單的設備。

但是, Rouhi 說,他們仍然不知道在通道的 nanotubes 濃度如何影響晶體管的性能。 最初,他們不可能領會 nanotube 密度是否將影響晶體管性能。 這個小組發現晶體管提供在薄酥餅的各種各樣的屬性,一些需要更多功率,當和一些是堅韌的關閉。 Rouhi 注意到高速通道以 nanotubes 為特色的最大數字。

這個小組控制了硅片表面屬性和在墨水的 nanotube 濃度,并且發現他們可能執行對他們的設備電子屬性的好控制。 有一個低 nanotube 密度的晶體管有相當適用於數字式應用的大開-關現行比率。 以高密度通道為特色的晶體管提供高電子遷移率,是有用的為使用在像 RFID 標籤的無線電頻率設備。

這個小組發展的高速設備提供 90 个 cm2/Vs 等級的高電子遷移率,高於無定形的硅提供的那些是大約 100 次使用在薄膜電子和接近四倍無定形的氧化物提供的電子遷移率。 小組的研究的完全詳細資料在高級材料去年被記錄了。

一般來說,與 nanotubes 的濃度,電子遊遍以最快速度晶體管通道。 這個小組發現了,當超過 100 nanotubes在通道的一方形微米之內被包裝了,當前之間的區別,并且晶體管的當前暴跌了。 這個小組希望高純度墨水和一點汙染物在通道可能提供更好的性能在晶體管。

來源: http://spectrum.ieee.org/

Last Update: 26. January 2012 21:32

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