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Posted in | Lab on a Chip

応用材料は DRAMチップのパフォーマンスを改善するために革新的なシステムを開発します

Published on July 8, 2011 at 3:06 AM

カメロンシェ著

応用材料はダイナミック RAM チップの新シリーズを」改良するために新しく革新的なシステムを (DRAM)パフォーマンス開発しました。 応用 Endura HAR のコバルト PVD システム、 Endura 応用 Versa XLR W PVD システムおよび Centura 応用 DPN HD システムのようなこれらのシステムはトランジスターおよびメモリーチップの」接触域のデザインを高めます。

Centura 応用 DPN HD システムはゲートの絶縁体に電気特性を高めるために窒素原子を埋め込むことによってトランジスターパフォーマンスを改善します。 新しい高線量 (HD)方法はメモリデバイスおよび進められた論理 (DPN)の生産で使用される応用オリジナルによって結合解除される血しょう nitridation の技術を改善します。 これはよりよいパフォーマンスのトランジスター次元を減らすためにチップメーカーを支持します。

応用 Endura Versa XLR W PVD システム使用はほぼ 20% によってゲートの減少 (PVD)スタック抵抗に標準タングステンの物理的な蒸気沈殿技術を適用しました。 これはゲートのスケーリングに必要な切り替え速度を改善します。 その高度リアクターデザインはかなり重要で消費可能な部品の寿命、 10% による減少した費用每ウエファーを増加します。

トランジスター接触のメタライゼーションのために、新しい応用 Endura のコバルト PVD システムはより少なく抵抗のコバルトと切り替え速度を改善するために生産保証方法を提供し、パワー消費を減らすために通常のチタニウムを、取り替えます。 システムは高い面比率の接触の構造の一貫したフィルムを沈殿させるために加えられるコバルト PVD の応用知識を高めまチタニウムのそれと比較される 50% によって接触抵抗の低下を可能にします。

DRAMチップとマイクロプロセッサ間のパフォーマンスを減らすためには、ドラムのチップメーカーはトランジスターの密度を拡大するのに改良された論理機構からのよりよいトランジスター技術を利用しまより速く、より精製された制御回路部品の開発を可能にします。

ソース: http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 12. January 2012 11:27

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