Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
Posted in | Lab on a Chip

Прикладные Материалы Начинают Новаторские Системы для того чтобы Улучшить Представление Обломоков ДРАХМЫ

Published on July 8, 2011 at 3:06 AM

Камероном Chai

Прикладные Материалы начинали новые новаторские системы для того чтобы улучшить свой новый сериал представление Динамических (DRAM) обломоков оперативного запоминающего устройства'. Эти системы как Прикладная система Кобальта PVD Endura HAR, Прикладная система Endura Versa XLR W PVD, и Прикладная система Centura DPN HD увеличивают конструкцию площадей контакта транзистора и микросхем памяти.

Прикладная система Centura DPN HD улучшает представление транзистора путем врезать атомы азота в изолятор строба для того чтобы увеличить свои электрические свойства. Новый метод (HD) высок-дозы улучшает технологию nitridation плазмы Applied's decoupled (DPN) оригиналом которая использована в продукции приборов памяти и выдвинутой логики. Это благоволит к чипмейкерам для уменьшения размеров транзистора с более лучшим представлением.

Вольфрама технология низложения пара Прикладного Applied's польз системы Endura Versa XLR W PVD стандартного (PVD) физическая для того чтобы уменьшить резистивность стога строба почти 20%. Это улучшает скорость переключения необходимую для шкалирования строба. Своя конструкция предварительного реактора значительно увеличивает жизненный период существенных потребляемых частей, уменьшая цен-в-вафлю 10%.

Для металлизирования контакта транзистора, новая Прикладная система Кобальта PVD Endura заменяет обычный титан с кобальтом менее-резистивности, для того чтобы обеспечить метод продукци-гарантии для того чтобы улучшить скорость переключения и уменьшить расход энергии. Система увеличивает знание Applied's в кобальте PVD который прикладной для того чтобы депозировать последовательные фильмы в высоких структурах контакта коэффициента сжатия, включающ понижать контактного сопротивления 50% сравненным к тому из титана.

Для уменьшения представления между обломоками ДРАХМЫ и микропроцессорами, чипмейкеры ДРАХМЫ использовали более лучшие технологии транзистора от улучшенных приборов логики для того чтобы увеличить плотность транзистора, включающ развитие более быстрых и более уточнять сетей управления.

Источник: http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 12. January 2012 11:36

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit