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应用的材料开发创新系统改进动态随机存储器芯片性能

Published on July 8, 2011 at 3:06 AM

卡梅伦柴

应用的材料开发新的创新系统改进动态随机存储器筹码其新系列 (DRAM)’性能。 这些系统例如应用的 Endura HAR 钴 PVD 系统、应用的 Endura Versa XLR W PVD 系统和应用的 Centura DPN HD 系统提高晶体管和存储芯片’联系范围设计。

应用的 Centura DPN HD 系统经过埋置氮气原子到门装绝缘体工提高其电子属性改进晶体管性能。 新的高剂量 (HD)方法改进应用的原来的 (DPN)用于存储设备和提前的逻辑的生产的被分离的等离子 nitridation 技术。 这支持芯片制造商减少与更好的性能的晶体管维数。

应用的 Endura Versa XLR W PVD 系统用途适用标准钨实际蒸气喷镀 (PVD)技术于减少门栈抵抗力接近 20%。 这改进交换速度必要为门比例缩放。 其先进的反应器设计显著地增加重要可消耗的零件寿命,越来越少的费用每薄酥饼 10%。

对晶体管联络金属化,新的应用的 Endura 钴 PVD 系统用少抵抗力钴替换通常银灰色,为了提供生产保证方法改进交换速度和减少电源冲减。 这个系统提高在应用存款在高方面比例联络结构的一致的影片的钴 PVD 的应用的知识,启用降低接触电阻 50% 与那银灰色比较。

为了减少在动态随机存储器芯片和微处理器之间的性能,微量芯片制造商使用从改进的逻辑装置的更好的晶体管技术扩大密度晶体管,启用更加快速和被精炼的控制电路的发展。

来源: http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 12. January 2012 11:18

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