Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
Posted in | Nanoelectronics

EV のグループは SOI の基板を使用して 450mm のウエファーのための最初結合システムのベールを取ります

Published on July 11, 2011 at 10:14 AM

EV のグループ (EVG)、 MEMS のナノテクノロジーおよび半導体の市場のためのウエファーの結合および石版印刷装置の一流の製造者は、今日シリコン・オン・インシュレータの基板から製造された 450 mm 直径のウエファーのための半導体工業の最初結合システムの (SOI)ベールを取りました。

SOI のウエファーの結合の EVG のリーダーシップの建物は、新しいシステム - EVG850SOI/450 mm をダビングしました現在の 300 mm 標準からの 450 mm ウエファーへの企業の転移をサポートし、促進するために - 作成されました。 Soitec 導く SOI のウエファーの提供者はグルノーブル、フランスの本部で最初の EVG850SOI/450 mm システムをインストールし、テストし、そして修飾します。 配達は落下 2011 年の間候補になります。

40 年間以上、ムーアの法律はずっと半導体工業の革新のための一次ドライバーです。 トランジスター、よりよいパフォーマンスおよび高められた機能性ごとの減らされた費用の利点は革新的なデザインのための増加されたトランジスター予算を可能にします。 しかし IC が 1 平方センチメートル企業がムーアの法律の経路にとどまるためにウエファーのサイズの一致した転移を 8 から 10 年毎に経た (費用/cm2) あたりおよそ倍増する毎ディケイドを要したので - 形状を位取りし続けている間 -。 SOI はスケーリングの挑戦のほとんどしか答えないが、また副 22 nm の類似幾何学の大きさ CMOS と比較される CMOS および 3D 技術のためのよりよい力/パフォーマンスを提供しますので 450 の mm にシフトの可能になる役割を担うと期待されます。

ウエファーの結合は良質の達成を可能にするので SOI の基板を形作るために SOI のウエファーを製造するための重大な技術、 1 つの絶縁層の単一水晶のケイ素のフィルムです。 新しい EVG850SOI/450 mm ウエファーの結合システムは SOI のウエファーの生産レベルの製造のための十分に自動化されたツールを作成するためにウエファーの結合の技術の EVG の強さにてこ入れします。 450 の mm への移行が今後数年間にわたって進むと同時にさらに、チップメーカーは一時しのぎの解決策がある 300 mm 容量のための生産性を最適化することを必要とするので、システムは橋ツールとして役立つことができま両方のウエファーのサイズの処理を許可します。

「すべての SOI のウエファーのあらゆる担保付き 300 mm SOI のウエファーそしてほぼ 100% EVG システムで製造されます。 私達は 1994 年に私達の最初 SOI の結合システムを提供し、私達の全体的なインストールベースは」注意しました EV のグループのポール Lindner 管理の技術ディレクターに SOI の基板の広げられた採用と育ち続けます。 「ウエファーの結合に基づいて最も重要な SOI の製造プロセスの 1 つは EV のグループは長年の共同関係がある Soitec からのスマートな CutTM の層の転送の技術です。 Soitec は最初の EVG 450 mm SOI のウエファーの結合システムの理想的な受信者であり、アルファツールの評価はですシステム・モジュールを最適化するために非常に貴重」。

EVG850SOI/450 mm は 2 つのプロセスモジュールから成っています: ウエファーの結合の前のウエファーのきれいになり、あらかじめ調整しのためのクリーニングのモジュール、そして SOI の前結合のモジュール。 前結合のモジュールでは、 2 つのシリコンの薄片は真空または大気区域で一緒に結合されます。 ツールは最新式 450 mm ロードポートおよび前部開始によって統一されるポッドが装備されています (FOUPs)。 粒子および金属イオン汚染テストのほとんどは 450 mm 度量衡学システムの欠乏による 300 mm ウエファーで行われます。 EVG の 450 mm の工廠の最初のツールは 450 mm SOI のウエファーの生産のための主起点として、新しい bonder 役立ち、マスクのアライナおよび塗装システムのような他の EV のグループ 450 mm の製品の開発のために、利用することができます。 ウエファースループットを増加するために追加モジュールが付いているシステムの拡張はようにそれ以上のステップ計画されます。

Soitec のためのポール Boudre 注目される業務執行責任者は、 「Soitec 450 mm 転移で置いて喜んでです。 この新しいシステムの進水によって、 EV のグループは半導体工業に 450 mm ウエファーへの転移を楽にするために非常に実行可能な解決を提供しています。 製造の次世代 IC のますますより大きい役割を担っていて私達の確立した SOI 材料が私達はこの新しいシステムが主流の生産を適時に入力して準備ができている」。ことを保障するべき EVG を使用を楽しみにしています

サンフランシスコの SEMICON の西の今週の間に、 EV のグループに SOI のチームおよびブース #1131 で使用できるウエファーの結合の専門家からの代表が 450 mm ウエファーの転移に 300 mm を繋ぎ、可能にするための新しい EVG850SOI/450 mm システムそして機能について詳細の学習に興味を起こさせられた出版物、アナリストおよび顧客と話すあります。 さらに、 EVG のポール Lindner はです 6:00 P.m. (PST) に今晩保持されるべき 450 の mm の MCA の BrightSpots のフォーラムの一部分--彼が、一まとめにそしてそれぞれ進行中の、努力の一部で 300 mm 製造業の効率を高めるために、また 450 mm ウエファーへの企業の転移を可能にするために現在触れるところ。 このイベントは媒体に開いて、アクセス可能なオンライン提起します、 450 の mm と関連付けられる関係者挑戦により大きい洞察力を得る一義的な機会をおよび機会にで一番の分野における専門家の何人かに質問を直接与えます。

Last Update: 12. January 2012 17:02

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit