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使用 SOI 基體, EV 組揭幕 450mm 薄酥餅的第一個接合系統

Published on July 11, 2011 at 10:14 AM

EV 組 (EVG),薄酥餅 MEMS 的,納米技術和半導體市場接合和石版印刷設備的主導的供應商,今天揭幕從绝緣體上硅薄膜基體製造的 450 mm 直徑薄酥餅的半導體行業的第一個接合 (SOI)系統。

在 EVG 的領導的大廈在 SOI 薄酥餅接合,新的系統 - 叫了 EVG850SOI/450 mm - 被創建支持和實現與 450 mm 薄酥餅的行業轉移從當前 300 mm 標準。 導致的 SOI 薄酥餅提供者 Soitec 在其格勒諾布爾,法國,總部將安裝,測試并且合格第一個 EVG850SOI/450 mm 系統。 發運指定在秋天 2011年。

超過 40 年,穆爾的法律是創新的主要驅動器在半導體行業。 減少的費用的福利每個晶體管、更好的性能和增加的功能啟用創新設計的增加的晶體管預算值。 由於集成電路每平方厘米 (費用/cm2) 花費了近似加倍每個十年,然而,這個行業在穆爾的法律時路徑經過在薄酥餅範圍的一個一致轉移每八到 10 年 -,當繼續稱功能大小 - 為了堅持。 SOI 在班次預計扮演啟用的作用到 450 mm,因為它不僅回答大多比例縮放挑戰,但是它也提供更好的功率/性能子 22 nm CMOS 和 3D 技術的與類似幾何批量項目貨簽 CMOS 比較。

薄酥餅接合是製造 SOI 薄酥餅的一個關鍵的技術,因為它啟用成績優質,單一水晶在一塊绝緣層的硅影片形成 SOI 基體。 新的 EVG850SOI/450 mm 薄酥餅接合系統在薄酥餅接合技術利用 EVG 的力量創建為生產級的生產的一個充分地自動化的工具 SOI 薄酥餅。 而且,因為芯片製造商將需要一個臨時方案優選現有的 300 mm 能力的生產率,當遷移到 450 mm 進行今後幾年,這個系統可能擔當橋梁工具,允許處理兩個薄酥餅範圍。

「每個保稅的 300 mm SOI 薄酥餅和接近 100% 的所有 SOI 薄酥餅在 EVG 系統被製造。 我們在 1994年提供了我們的第一個 SOI 接合系統,并且我們的全球產品安裝信息庫繼續增長與 SOI 基體的被擴大的採用」,注意 EV 組行政技術主任保羅 Lindner。 「在薄酥餅接合基礎上的其中一個最重要的 SOI 製造進程是從 Soitec 的聰明的 CutTM 層調用技術, EV 組有一個長年的合作關係。 Soitec 是第一個 EVG 450 mm SOI 薄酥餅接合系統的理想的接收人,并且他們的阿爾法工具的評估為優選系統模塊將是無價的」。

EVG850SOI/450 mm 包括二個處理模塊: 清洗和預先處理的清潔模塊薄酥餅在薄酥餅接合前和 SOI 前接合模塊。 在前接合模塊,二個硅片一起加入真空或一個大氣房間。 工具裝備科技目前進步水平 450 mm 負荷端口和前空缺數目統一的莢 (FOUPs)。 大多微粒和金屬離子汙穢測試在 300 mm 薄酥餅將執行由於缺乏 450 mm 計量學系統。 在 EVG 的 450 mm 兵工廠的第一個工具,新的 bonder 起關鍵起點作用對於 450 mm SOI 薄酥餅的生產,并且可以為其他 EV 組 450 mm 產品的發展使用,例如屏蔽直線對準器和塗層系統。 系統的擴展名與另外的模塊的計劃,一個進一步步驟增加薄酥餅處理量。

註釋的業務執行責任者 Soitec 的保羅 Boudre, 「Soitec 是願意確定在這個 450 mm 轉移。 此新的系統生成, EV 組提供半導體行業一個高度可行的解決方法緩和與 450 mm 薄酥餅的轉移。 当我們源遠流長的 SOI 材料扮演越來越更加巨大的作用在製造的下一代集成電路,我們盼望與 EVG 一起使用保證此新的系統準備及時地輸入主流生產」。

在 SEMICON 西方本週期間在舊金山, EV 組將有從 SOI 其小組和薄酥餅接合專家的代表可用在攤 #1131 告訴與對瞭解更多和客戶感興趣的新聞、分析員對新的 EVG850SOI/450 mm 系統和其功能跨接和啟用的 300 mm 與 450 mm 薄酥餅轉移。 另外, EVG 的保羅 Lindner 將是 MCA 的 BrightSpots 論壇的一部分關於今晚將被暫掛的 450 mm 的在 6:00 P.m. (PST)--那裡他在進行中某些當前將涉及的工作成績,共同和單個,提高 300 mm 製造效率以及啟用與 450 mm 薄酥餅的行業的轉移。 此活動是開放的對媒體并且是可訪問在線,提供參與者一個唯一機會瞭解更加極大的到挑戰和機會與 450 mm 相關,并且提出問題直接地某些首要專長領域。

Last Update: 26. January 2012 21:32

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