Los Investigadores Introducen la Espectroscopia Ángulo-Resuelta de la Fotoemisión de la Radiografía Dura (HARPES)

Published on August 29, 2011 at 4:03 AM

Por Cameron Chai

Los Investigadores en el Laboratorio Nacional de Lorenzo Berkeley (Laboratorio de Berkeley) del Departamento de Energía de EE. UU. (DOE) han desarrollado una técnica nueva de la Radiografía llamada la espectroscopia ángulo-resuelta de la fotoemisión de la radiografía dura (HARPES).

Gris y Charles Fadley, Laboratorio Nacional de Alexander de DOE/Lawrence Berkeley

Charles Fadley, físico que llevó el revelado de HARPES, declarado que HARPES se puede utilizar para investigar la estructura electrónica a granel de cualquier material, con menos impactos de las reacciones de la contaminación o de la superficie. Esta técnica puede estudiar los interfaces y las capas ocultados que son omnipresentes en dispositivos del nanoscale y son importantes para los elementos de lógica minúsculos en la configuración única de la memoria de la electrónica en spintronics, así como en la conversión de energía muy eficiente en dispositivos tales como células fotovoltaicas, él agregó.

Los investigadores han señalado la demostración acertada de la tecnología de HARPES en un papel titulado, ` Que Sondaba la estructura electrónica a granel con la fotoemisión ángulo-resuelta de la Radiografía dura,' en gorrón de los Materiales de la Naturaleza.

Gris de Alexander, un afiliado con la División de las Ciencias Materiales del Laboratorio de Berkeley y una pieza del grupo de investigación de Davis de la Universidad de California de Fadley, declarada que el clave a estudiar la estructura electrónica a granel es la utilización de las Radiografías duras que son Radiografías que poseen altas energías del fotón para emitir los fotoelectrones de profundamente bajo superficie de un material sólido. Los fotones De alta energía transmiten altas energías cinéticas a los fotoelectrones emitidos, haciéndolos para pasar con distancias más largas dentro del material sólido, que a su vez permiten que el analizador detecte más de la señal obtenida del bulto, él dijeron.

Para la demostración de las funciones de la técnica de HARPES, los investigadores utilizaron un beamline de intensidad alta del undulator en el recurso de la radiación de sincrotrón SPring8 situado en Hyogo, Japón. El Instituto Nacional Japonés para las Ciencias Materiales es el operador del recurso. Durante el estudio, la técnica de HARPES permitió que los investigadores estudiaran hasta una profundidad de 60 Å en el bulto de únicos cristales del arseniuro de galio y del tungsteno. Los investigadores utilizaron un espectrómetro sofisticado del electrón para medir ángulos y energías así como las fuentes de luz de la tercera generación que pueden producir los haces fuertes de Radiografías duras.

Fuente: http://www.lbl.gov

Last Update: 11. January 2012 06:11

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