Forskere Introduser Hard X-ray Angle-løst PhotoEmission spektroskopi (HARPES)

Published on August 29, 2011 at 4:03 AM

Av Cameron Chai

Forskere ved Lawrence Berkeley National Laboratory (Berkeley Lab) av US Department of Energy (DOE) har utviklet en ny X-ray teknikk kalt den harde x-ray vinkel-løst photoemission spektroskopi (HARPES).

Alexander Gray og Charles Fadley, DOE / Lawrence Berkeley National Laboratory

Charles Fadley, en fysiker som ledet HARPES utvikling, uttalte at HARPES kan brukes til å undersøke bulk elektroniske strukturen av ethvert materiale, med færre virkninger av forurensning eller overflate reaksjoner. Denne teknikken kan studere den skjulte grensesnitt og lag som er allestedsnærværende i nanoskala enheter og er viktig for små logiske elementer i elektronikk unike minne arkitektur i spintronics, samt i svært effektiv energi konvertering i enheter som fotovoltaiske celler, la han til.

Forskerne har rapportert den vellykkede demonstrasjon av HARPES teknologi i en artikkel med tittelen 'Verifiserer bulk elektroniske struktur med harde X-ray vinkel-løst photoemission,' i Nature Materials journal.

Alexander Gray, en agent med Berkeley Lab er Materialer Sciences Division og medlem av Fadley University of California Davis forskergruppe, uttalte at nøkkelen til å studere bulk elektroniske strukturen er utnyttelsen av hard X-stråler som er X-stråler som innehar høy foton energier til å slippe ut photoelectrons fra dypt under overflaten av et solid materiale. Høy energi fotoner overfører høye kinetiske energier til utsendt photoelectrons, noe som gjør dem til å passere gjennom lengre avstander inne i solid materiale, som igjen gjør at analysatoren å oppdage mer av signalet hentet fra bulk, sier han.

For demonstrasjon av funksjonaliteten til HARPES teknikken, benyttet forskerne en høy intensitet undulator beamline på SPring8 synkrotronstråling anlegget ligger i Hyogo, Japan. Den japanske National Institute for Materials Sciences er operatør av anlegget. I løpet av studien, tillot HARPES teknikken forskerne å studere opp til en dybde på 60 A i mesteparten av gallium-arsenid og tungsten enkrystaller. Forskerne brukte en sofistikert elektron spektrometer for å måle vinkler og energier samt tredje generasjon lyskilder som kan produsere kraftige bjelker av hard X-stråler.

Kilde: http://www.lbl.gov

Last Update: 5. October 2011 18:32

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit