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Neue EUV Fortgeschrittene Fadenkreuz-Ätzungs-Anlage Gleicht die Hürden aus, die mit EUV-Lithographie Verbunden sind

Published on September 19, 2011 at 8:11 PM

Applied Materials, Inc. brachten heute das hochmoderne in der Fotomaskentechnologie mit seiner neuen Angewandten Fadenkreuz-Ätzungsanlage Centura TetraTM EUV Fortgeschrittenen voran.

Eine bedeutende Hürde zur Annahme der EUV-Lithographie Ausgleichend, löst die neue Tetra- EUV-Anlage die kritische und unmet Herausforderung der Ätzung der neuen EUVL-Fotomasken mit nm-stufiger Genauigkeit und Weltklassen- Defektleistung, um die Fälschung von mehrfachen neuen Generationen von leistungsstarken Halbleiterchips zu aktivieren.

„Unsere neue Tetra- EUV-Anlage erweitert die Fähigkeiten der Angewandten industriekompatiblen Tetra- Ätzungsplattform, die von der großen Mehrheit von hoch entwickelten Maskenherstellern heute verwendet wird,“ sagte Ajay Kumar, Vizepräsident und Generaldirektor von der Masken- und TSV-ÄtzungsProduktsparte an Angewandten Materialien. „Traf fortfährt, in den Technologien zu investieren zu, die zu unseren Abnehmern wichtig sind und zukünftige Auslegungsknotenpunkte aktivieren werden. Wir haben bereits mehrfache Anlagen versendet und wir arbeiten nah mit praktisch jedem führenden Maskenhersteller, um der Halbleiterindustrie zu helfen, diese beträchtliche Technologiebeugung anzupassen.“

EUVL-Fotomasken sind grundlegend unterschiedlich als herkömmliche Fotomasken, die Leuchte selektiv der Wellenlänge 193nm Projektschaltungsmustern auf den Wafer übermitteln. An der Wellenlänge 13.5nm, die durch EUVL verwendet wird, sind alle Fotomaskenmaterialien undurchsichtig, also enthält die Maske komplexe mehrschichtige Spiegel, um Schaltungsmuster auf den Wafer stattdessen zu reflektieren. Die Tetra- EUV-Anlage wird konstruiert, um neue Materialien und komplexe Schichtstapel zu ätzen, um die zwingende Mustergenauigkeit, das Oberflächenende und die defectivity Bedingungen zu treffen, die benötigt werden, um hohe Lithographieerträge beim Bedienen zu erzielen in diesem reflektierten Modus.

Die Tetra- EUV-Anlage ist ein Teil des umfassenden Effektenbestands der Angewandten Materialien der Lösungen, zum der Produktivität und des Ertrags der Fotomaske seiner Abnehmer und der Lithographieoperationen zu optimieren. Die Anlage wird durch Angewandte Globale Dienstleistungen, umfassendste der Industrie Servicenetz unterstützt, um Anlage Uptime zu maximieren - einen wesentlichen Vorrang für Maskenätzungshilfsmittel. Zu mehr Information über die Lithographie-aktivierenden Lösungen der Angewandten Materialien, Besuch www.appliedmaterials.com/advanced-litho.

Last Update: 11. January 2012 05:58

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