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Il Nuovo Sistema Incissione All'acquaforte del Reticolo Avanzato EUV Sormonta le Transenne Connesse con la Litografia di EUV

Published on September 19, 2011 at 8:11 PM

Applied Materials, Inc. oggi hanno avanzato la punta del progresso nella tecnologia del photomask con il suo nuovo sistema Applicato Incissione All'acquaforte del Reticolo Avanzato EUV di Centura TetraTM.

Sormontando una transenna importante all'approvazione della litografia di EUV, il nuovo Tetra sistema di EUV risolve la sfida critica e insoddisfatta dell'incidere di nuovi photomasks di EUVL con di accuratezza livella del nanometro e la prestazione di livello internazionale di difetto per permettere al montaggio delle nuove generazioni multiple di chip ad alto rendimento a semiconduttore.

“Il Nostro nuovo Tetra sistema di EUV amplia le capacità dello standard industriale che Applicato la Tetra piattaforma incissione all'acquaforte, che è usata oggi dalla grande maggioranza dei creatori avanzati della maschera,„ ha detto Ajay Kumar, di vice presidente e del direttore generale della divisione di prodotto Incissione All'acquaforte di TSV e della Maschera ai Materiali Applicati. “Si È Applicato continua ad investire nelle tecnologie che sono importanti ai nostri clienti e permetteranno ai vertici di prossima generazione di progettazione. Già abbiamo spedito i sistemi multipli e stiamo lavorando molto attentamente con virtualmente ogni creatore principale della maschera per aiutare l'industria a semiconduttore per accomodare questa flessione significativa della tecnologia.„

I photomasks di EUVL sono fondamentalmente differenti che i photomasks convenzionali che trasmettono selettivamente l'indicatore luminoso di lunghezza d'onda 193nm ai reticoli del circuito del progetto sul wafer. Alla lunghezza d'onda 13.5nm usata da EUVL, tutti i materiali del photomask sono opachi, in modo dalla maschera contiene gli specchi a più strati complessi per riflettere i reticoli del circuito sul wafer invece. Il Tetra sistema di EUV è destinato per incidere i nuovi materiali e le pile complesse del livello per rispondere all'accuratezza del reticolo, alla finitura di superficie ed alle specifiche rigorose di defectivity richieste per realizzare gli alti rendimenti della litografia quando funziona in questo modo riflesso.

Il Tetra sistema di EUV fa parte del portafoglio completo dei Materiali Applicati delle soluzioni per ottimizzare la produttività ed il rendimento del photomask dei sui clienti e delle operazioni della litografia. Il sistema è supportato tramite i Servizi Globali Applicati, il servizio più completo ed il supporto di rete dell'industria, per massimizzare il uptime del sistema - una priorità vitale per gli strumenti incissione all'acquaforte della maschera. Per ulteriori informazioni sulle soluzioni litografia-permettenti dei Materiali Applicati, visita www.appliedmaterials.com/advanced-litho.

Last Update: 11. January 2012 06:00

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