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新的先进的EUV光罩蚀刻系统克服相关的障碍与EUV光刻技术

Published on September 19, 2011 at 8:11 PM

应用材料公司今天先进的光掩膜技术与新的应用森特拉TetraTM EUV技术先进光罩蚀刻系统状态的艺术。

克服采用EUV光刻技术的一个主要障碍,新利的EUV系统解决的关键和未挑战的新的极紫外光刻光掩膜蚀刻纳米级精度和世界一流的缺陷表现,使制造多个新世代高高性能的半导体芯片。

“我们的新利EUV技术系统扩展应用材料公司的行业标准利蚀刻平台,用于先进的面具制造商今天绝大多数的能力,”说阿贾伊库马尔,副总裁和总经理的面具和TSV蚀刻产品划分在应用材料。 “应用将继续投资于技术为我们的客户来说非常重要,将使下一代设计节点。,我们已经交付多个系统,我们正与几乎每一个领先的面具制造商密切合作,帮助半导体行业适应这一重大的技术拐点。 “

极紫外光刻光掩膜是根本不同的选择性发射193nm的波长的光投射到晶圆电路图案比传统的光掩膜,的。在极紫外光刻用于13.5nm波长,光掩膜材料是不透明的,所以掩码包含反映到晶片上的电路图案,而不是复杂的多层反射镜。利乐的EUV系统是蚀刻新材料和复杂的叠层设计,以满足严格的模式精度,表面光洁度和缺陷规格要求,以实现高光刻产量,这反映的模式运行时。

利EUV技术系统是应用材料的一部分“的解决方案全面的产品组合,以优化其客户的生产力和收益率”光掩膜和光刻技术操作。该系统是全球应用服务,业界最全面的服务和支持网络,最大限度地提高系统的正常运行时间 - 光罩蚀刻工具的重要优先支持。应用材料公司的光刻技术,使解决方案的更多信息, 请访问www.appliedmaterials.com /先进光刻。

Last Update: 7. October 2011 01:15

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