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新的先進的EUV光罩蝕刻系統克服相關的障礙與 EUV光刻技術

Published on September 19, 2011 at 8:11 PM

應用材料公司今天先進的光掩膜技術與新的應用森特拉TetraTM EUV技術先進光罩蝕刻系統狀態的藝術。

克服採用 EUV光刻技術的一個主要障礙,新利的EUV系統解決的關鍵和未挑戰的新的極紫外光刻光掩膜蝕刻納米級精度和世界一流的缺陷表現,使製造多個新世代高高性能的半導體芯片。

“我們的新利EUV技術系統擴展應用材料公司的行業標準的四蝕刻平台,用於先進的面具製造商今天絕大多數的能力,”說阿賈伊庫馬爾,副總裁和總經理的面具和TSV蝕刻產品劃分在應用材料。 “應用將繼續投資於技術為我們的客戶來說非常重要,將使下一代設計節點。,我們已經交付多個系統和我們正在與幾乎每一個領先的面具製造商緊密合作,幫助半導體行業適應這一重大的技術拐點。 “

極紫外光刻光掩膜是根本不同的選擇性發射 193nm的波長的光投射到晶圓電路圖案比傳統的光掩膜,的。在極紫外光刻用於 13.5nm波長,光掩膜材料是不透明的,所以掩碼包含反映到晶片上的電路圖案,而不是複雜的多層反射鏡。利樂的EUV系統是蝕刻新材料和複雜的疊層設計,以滿足嚴格的模式精度,表面光潔度和缺陷規格要求,以實現高光刻產量,這反映的模式運行時。

利EUV技術系統是應用材料的一部分“的解決方案全面的產品組合,以優化其客戶的生產力和收益率”光掩膜和光刻技術操作。該系統是全球應用服務,業界最全面的服務和支持網絡,最大限度地提高系統的正常運行時間 - 光罩蝕刻工具的重要優先支持。應用材料公司的光刻技術,使解決方案的更多信息, 請訪問www.appliedmaterials.com /先進光刻。

Last Update: 8. October 2011 03:58

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