Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
Posted in | Nanofabrication

سامسونج تصنيع الذاكرة الخط - 16 مرفق تبدأ عمليات

Published on September 26, 2011 at 4:38 AM

بواسطة كاميرون تشاي

سامسونج للإلكترونيات قد بدأت عملياتها في 198000 متر مربع على الخط 16 منشأة لتصنيع أشباه الموصلات الذاكرة. وقد بدأ بناء منشأة خلال شهر مايو 2010 واكتملت منشآت بحلول مايو 2011.

وأجريت المحاكمة الإنتاج خلال شهر يونيو 2011 وقدم مرفق يعمل بكامل طاقته خلال شهر أغسطس. وقد تم بناء خط FAB - 16 مع استثمار ما مجموعه 12000000000000 ₩ الكورية.

كما أعلنت شركة سامسونج للانتاج كميات كبيرة من فئة ال 20 نانومتر رقائق ذاكرة فلاش NAND. ومن المتوقع ان يصل الانتاج الى الوصول الى قدرة رقائق 10000 شهريا قياس 12 ". وتخطط الشركة لتطوير وإنتاج أشباه الموصلات 10 نانومتر الجديدة مع فئة التكنولوجيا والتعليم العالي الكثافة. بالإضافة إلى ذلك سوف تبدأ شركة سامسونج على نطاق واسع في إنتاج فئة 20 نانومتر مضاعفة معدل البيانات - 3 ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM DDR3) مع كثافة من 2 جيجابايت. فئة 20 نانومتر النتائج في استهلاك الطاقة بنسبة 40 ٪ وانخفاض في نفس الوقت يزيد من معدل الإنتاج بنسبة 50 ٪. وتعتزم الشركة أيضا لرفع مستوى خط الإنتاج الضخم لتصنيع DDR3 DRAM ذات الكثافة من 4GB ، 8GB ، 16GB و 32GB بحلول عام 2012.

سامسونغ ، والتي تقوم بتصنيع وتطوير التقنيات في مجالات الاتصالات السلكية واللاسلكية ، والتقارب الرقمي ، أشباه الموصلات والوسائط الرقمية ومجموع قوة من 190500 موظف موزعة على 206 مكتبا منتشرة في 28 دولة مختلفة.

المصدر : http://www.samsung.com

Last Update: 24. October 2011 22:13

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit