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Posted in | Nanofabrication

El Recurso de la Fabricación de la Memoria del Line-16 de Samsung Comienza Operaciones

Published on September 26, 2011 at 4:38 AM

Por Cameron Chai

Samsung Electronics ha comenzado operaciones en su 198.000 recurso de la fabricación del Semiconductor de la Memoria de sq.m Line-16. La Construcción del recurso fue comenzada durante Mayo de 2010 y las instalaciones fueron terminadas en mayo de 2011.

La producción De Ensayo conducto durante Junio de 2011 y el recurso fue hecho completo - operativo durante Agosto. El Line-16 fabuloso se ha construido con una inversión total de 12 trillón Coreanos ganados.

Samsung también anunció la producción en masa de las 20 virutas de memoria Flash de la clase NAND del nanómetro. Se prevee que la producción alcance una capacidad de 10.000 virutas por el mes que mide 12". La compañía proyecta desarrollar y producir los nuevos semiconductores con tecnología de la clase de 10 nanómetro y más de alta densidad. Samsung comenzará Además la producción en grande 20 de la memoria de acceso aleatorio dinámica de los datos rate-3 del doble de la clase del nanómetro (COPITA DDR3) con una densidad de 2 Gigabites. Los 20 resultados de la clase del nanómetro en el consumo de una energía más inferior del 40% y al mismo tiempo aumentan tasa de producción en el 50%. La compañía también ha proyectado aumentar su línea de la producción en masa para fabricar la COPITA DDR3 con densidades de 4GB, de 8GB, de 16GB y de 32GB en 2012.

Samsung, que fabrica y desarrolla tecnologías en las áreas de la telecomunicación, convergencia digital, semiconductor y los media digitales tiene fuerza total del empleado de 190.500 extendidos a través de 206 oficinas situadas en 28 países diferentes.

Fuente: http://www.samsung.com

Last Update: 12. January 2012 12:50

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