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Posted in | Nanofabrication

L'Installation de Fabrication de Mémoire du Line-16 de Samsung Commence des Fonctionnements

Published on September 26, 2011 at 4:38 AM

Par Cameron Chai

Samsung Electronics a débuté des fonctionnements à sa 198.000 dextérité de fabrication de Semi-conducteur de Mémoire de sq.m Line-16. La Construction de l'installation a été commencée pendant En mai 2010 et des installations ont été remplies avant mai 2011.

La production D'essai a été conduite pendant En juin 2011 et l'installation a été rendue complètement opérationnelle pendant Août. Le Line-16 ouvrier a été établi avec un investissement total de 12 trillion de Coréen gagné.

Samsung a également annoncé la production de masse des 20 puces de mémoire flash de NON-ET de classe de nanomètre. On s'attend à ce que la production atteigne une capacité de 10.000 puces par mois mesurant 12". La compagnie planification pour développer et produire les semi-conducteurs neufs avec la technologie de classe de 10 nanomètre et plus à haute densité. Supplémentaire Samsung débutera la production à grande échelle 20 de la mémoire vive dynamique des données rate-3 de double de classe de nanomètre (MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE DDR3) avec une densité de 2 Gigabits. Les 20 résultats de classe de nanomètre dans la consommation d'énergie inférieure de 40% et augmente en même temps la cadence de fabrication de 50%. La compagnie planification également pour améliorer sa ligne de production de masse pour fabriquer la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE DDR3 avec des densités de 4GB, de 8GB, de 16GB et de 32GB d'ici 2012.

Samsung, qui fabrique et développe des technologies dans les zones de la télécommunication, convergence digitale, semi-conducteur et médias numériques a la force totale des employés de 190.500 écartés en travers de 206 bureaux situés dans 28 pays différents.

Source : http://www.samsung.com

Last Update: 12. January 2012 13:10

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