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Samsung のライン16 メモリ製造機能は操作を始めます

Published on September 26, 2011 at 4:38 AM

カメロンシェ著

サムソング・エレクトロニックスは 198,000 sq.m ライン16 メモリ半導体の製造機能で操作を始めました。 機能の構築は 2010 年 5 月の間に開始し、インストールは 2011 年 5 月までに完了しました。

試験の生産は 2011 年 6 月の間に行なわれ、機能は 8 月の間に完全に機能したようにされました。 すてきなライン16 は 12 の総投資と勝たれる兆人の韓国語構築されました。

Samsung はまた 20 の nm のクラス否定論履積のフラッシュ・メモリチップの大量生産を発表しました。 生産は 12" を測定する 1 ヶ月あたりの 10,000 のチップの容量に達すると期待されます。 会社はおよび高密度 10 nm のクラスの技術の新しい半導体を開発し、作り出すことを計画します。 さらに Samsung は 2 ギガビットの密度の 20 nm のクラスの倍データレート3 のダイナミック RAM (DDR3 ドラム) の大規模な生産を始めます。 40% の低負荷の消費の 20 の nm のクラスの結果は 50% 同時に生産レートを高め。 会社はまた 2012 年までに 4GB、 8GB、 16GB および 32GB の密度の DDR3 ドラムを製造するために大量生産ラインをアップグレードすることを計画しました。

テレコミュニケーションの領域の技術を製造し、開発する Samsung の、デジタル収束、半導体およびデジタル媒体 28 の国にいる 206 のオフィスを渡って広がる 190,500 の総従業員の強さがあります。

ソース: http://www.samsung.com

Last Update: 12. January 2012 12:40

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