Posted in | Nanoelectronics

Награда Аппаратур Оксфорда Присутствующая Инаугурационная для Самого Лучшего Проекта MSc в Нанотехнологии

Published on September 27, 2011 at 7:35 PM

Аппаратуры Оксфорда услажены для того чтобы объявить что Adnan Mehonic получатель нашей первой озаглавленной награды Технологии Плазмы Аппаратур Оксфорда для Самого Лучшего Проекта MSc в Нанотехнологии на UCL, «Настоящими изучениями перехода nanoclusters кремния».

L к R: Adnan Mehonic, MSc получает его Награду для Самого Лучшего Проекта MSc в нанотехнологии на UCL от Майкл Stokeley, Администраторов По Сбыту EMEA, Технология Плазмы Аппаратур Оксфорда

Проект, котор наблюдал Др. Тони Kenyon, расследованные приборы (MOS) металл-окис-полупроводника содержа nanoclusters кремния дал допинг с ионами эрбия, и проанализировано и обсужено механизму кондукции вникание которого необходимо для более дальнеишего развития кремни-основанных приборов photonics.

Профессор Ричард Jackman, Директор программы MSc в Нанотехнологии на Отделе Электронного и Электротехника & Центр Лондона для Нанотехнологии прокомментировал, «Мы были услажены с высоким калибром наших проектов MSc в прошлом году, но работа и результаты Adnan на «Настоящих изучениях перехода nanoclusters кремния» были рассужены самое лучшее в его годе». Др. добавленное Kenyon, «Работа привел к в патентовать Прибор Переключения Memristor Сопротивляющий, и Adnan теперь работает на PhD на UCL для того чтобы продвинуть это исследование. Мы довольный для того чтобы выбрать его работу для того чтобы выиграть приз.»

Майк Cooke, Главный Офицер Технологии для Технологии Плазмы Аппаратур Оксфорда сказало, «По Мере Того Как компания мы направляем последовать ответственное развитие и более глубокое вникание мира через Науку & Технологию, и мы услажены для того чтобы поддержать приз предназначенный узнать и повысить выдающееся достижение молодых научных работников в поле исследования нанотехнологии.»

О Технологии Плазмы Аппаратур Оксфорда

Технология Плазмы Аппаратур Оксфорда предлагает гибкие, конфигурируемые отростчатые инструменты и процессы ведущей кромки для точного, controllable и repeatable инженерства микро- и nano-структур. Наши системы обеспечивают отростчатые разрешения для эпитаксиального роста слоя нанометров материала сложного полупроводника, вытравлять характеристик определенных размер нанометрами и контролируемого роста nanostructures. Эти разрешения основаны на технологиях сердечника в плазм-увеличенном низложении и etch, низложении и etch ионного луча, атомном низложении слоя и эпитаксии участка пара гидрида. Вид продукции от компактных отдельно стоящих систем для R&D, через инструменты серии и до связанных платформ кассет-к-кассеты для обрабатывать продукции высок-объём.

Last Update: 12. January 2012 13:25

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit