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Bernal apilamiento puede alterar las propiedades eléctricas del grafeno

Published on September 29, 2011 at 3:21 AM

Por Cameron Chai

Un equipo de investigadores de la Universidad de California en Riverside han establecido que las propiedades eléctricas del grafeno puede ser alterado por la adopción de una técnica llamada de tres capas Bernal apilamiento.

En Bernal-apilados de tres capas (ABA), la parte superior (el tercero) es exactamente la hoja en la parte superior de la hoja más baja. En romboédricos de fichas (ABC) de tres capas, la primera hoja se desplaza por la distancia de un átomo, de modo que la parte superior (el tercero) y la hoja de la forma más baja hoja de un apilamiento de Bernal también. Crédito: Lau de laboratorio, la Universidad de California Riverside.

El grafeno se compone de átomos de carbono que se organizan en forma de anillos hexagonales y tiene una alta conductividad eléctrica y térmica, por lo que es el material ideal para ser utilizado en los semiconductores y las computadoras.

Las hojas de grafeno se pueden apilar unas sobre otras a través de Bernal apilamiento debido a su estructura plana. Bajo regulares Bernal apilar la esquina de la formación hexagonal de la segunda hoja se coloca en el centro de la sábana de abajo. Los investigadores adoptaron un nuevo método de apilamiento de llamada de tres capas Bernal apilamiento en tres hojas de grafeno se organizaron de tal manera que la capa superior está directamente debajo de la hoja más baja. Se descubrió que los dispositivos que se había arreglado las láminas de grafeno de esta manera se muestra la conductividad eléctrica, mientras que los otros dispositivos se muestra el aislamiento.

Sin embargo, si el acuerdo se movió un poco, las hojas de muestra de aislamiento. Los investigadores utilizaron la espectroscopia Raman para analizar los dispositivos que tenía el orden deseado de apilamiento. El equipo de investigación también pretende analizar la brecha que surge debido a la forma de apilarlos, ya que ayudará en la ingeniería de lagunas banda en la electrónica de grafeno. Este estudio fue financiado por becas de la Oficina de Investigación Naval, el Centro de Enfoque Funcional de Ingeniería Arquitectura Nano y la Fundación Nacional de Ciencias.

Fuente: http://www.ucr.edu/

Last Update: 16. October 2011 21:09

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