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Posted in | Graphene

Bernal のスタッキングは Graphene の電気特性を変えることができます

Published on September 29, 2011 at 3:21 AM

カメロンシェ著

の川岸カリフォルニア大学からの研究者のチームは graphene の電気特性が呼出される技術の採用によって Bernal の trilayer のスタッキングことを変えることができることを確立しました。

Bernal スタックされた trilayer (ABA) では、上の (第 3) シートは最も低いシートの上に丁度あります。 rhombohedral スタックされた (ABC) trilayer では、上シートは原子の間隔によって上の (第 3) シートおよび最も低いシートがまたスタックする Bernal を形作るように、移ります。 信用: Lau の実験室、 UC の川岸。

従って Graphene は六角形のリングの形をした配列される成り、高い電気および熱伝導度がありま炭素原子から、それに半導体およびコンピュータで使用されるべき理想的な材料をします。

Graphene シートは平面構造による Bernal のスタッキングによって互いに容易にスタックすることができます。 規則的な Bernal の下で第 2 シートの六角形の形成のコーナーをスタックすることは最下シートの真中に置かれます。 研究者は上シートは最も低いシートの下に直接あることスタッキングの新しい方法を呼出しました graphene の 3 枚のシートがそのような方法でどこに配列されたかスタックする Bernal の trilayer を採用しました。 他の装置が絶縁体を表示する間、このように配列された graphene シートを備えていた装置が電気の伝導性を表示したことが検出されました。

ただし、整理がわずかに移ったら、シートは絶縁体を表示しました。 研究者は望ましいスタッキング順序があった装置を分析するのにラマン分光学を使用しました。 調査チームはまた graphene の電子工学のバンドギャップの工学で助けるのでスタッキングの整理が原因で起こるギャップを分析することを計画します。 この調査は海軍研究のオフィス、機能設計された Nano Architectonics のための焦点の中心および全米科学財団からの許可によって後援されました。

ソース: http://www.ucr.edu/

Last Update: 12. January 2012 12:40

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