Site Sponsors
  • Save 20% On a Jenway 7315 Spectrophotometer from Bibby Scientific
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
Posted in | Graphene
Save 20% On a Jenway 7315 Spectrophotometer from Bibby Scientific

There is 1 related live offer.

20% Off Jenway Spectrophotometer

Bernal Stacking Maaari baguhin Graphene ng Electrical Katangian

Published on September 29, 2011 at 3:21 AM

Ni Cameron Chai

Ang koponan ng mga mananaliksik mula sa University of California, Riverside itinatag na ang electrical na mga katangian ng graphene ay binago sa pamamagitan ng gamitin ng isang pamamaraan na tinatawag Bernal trilayer stacking.

Sa Bernal-isinalansan trilayer (ABA), sa tuktok (third) sheet ay eksaktong sa tuktok ng pinakamababang sheet. Sa rhombohedral-isinalansan trilayer (ABC), sa itaas na sheet ay shifted sa pamamagitan ng ang distansya ng isang atom, upang sa tuktok (third) sheet at ang pinakamababang na form ng sheet sa isang Bernal stacking pati na rin. Credit: Lau lab, UC Riverside.

Graphene ay binubuo ng carbon atoms na nakaayos sa hugis ng heksagunal singsing at may mataas na electrical at thermal kondaktibiti, kaya ginagawa itong mainam na materyal na gagamitin sa mga Semiconductors at computer.

Graphene sheet ay madaling ay isinalansan sa isa't isa sa pamamagitan Bernal stacking dahil sa planar istraktura nito. Sa ilalim ng regular Bernal stacking sa sulok ng heksagono pagbuo ng ikalawang sheet ay nakalagay sa gitna ng sheet sa ilalim. Mananaliksik ang pinagtibay ng isang bagong paraan ng stacking tinatawag na ang Bernal trilayer stacking kung saan ang tatlong sheet ng graphene ay nakaayos sa ganitong paraan na ang tuktok sheet ay direkta sa ibaba ang pinakamababang sheet. Ito ay natuklasan na ang mga aparato na ay ng mga graphene sheet na nakaayos sa paraang ito na ipinapakita ng koryente kondaktibiti habang ang iba pang mga aparato na ipinapakita pagkakabukod.

Gayunpaman, kung aayos ay bahagyang shifted, ang mga sheet ipinapakita pagkakabukod. Ang mga mananaliksik ay gumamit ng Raman spectroscopy upang pag-aralan ang mga aparato na ay ang nais na stacking upang. Ang koponan ng pananaliksik din plano upang pag-aralan ang mga puwang na arises dahil sa ang stacking-aayos dahil makakatulong ito sa engineering ng mga gaps band sa graphene electronics. Pag-aaral na ito ay sponsored ng mga pamigay mula sa Office of Naval Research, ang Focus Centre para sa functional Engineered Nano arkitektura at ang National Science Foundation.

Source: http://www.ucr.edu/

Last Update: 19. October 2011 08:49

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit