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Bernal 堆积可能修改 Graphene 的电子属性

Published on September 29, 2011 at 3:21 AM

卡梅伦柴

研究员小组从加州大学的,河沿设立 graphene 电子属性可以通过采用叫的技术修改 Bernal trilayer 堆积。

在 Bernal 被堆积的 trilayer (ABA),顶部 (第三) 页正确地是在最低的页顶部。 在菱面型被堆积的 (ABC) trilayer,顶部页由原子的距离转移,因此顶部 (第三) 页和最低的页形成堆积的 Bernal。 赊帐: Lau 实验室, UC 河沿。

Graphene 由被安排以六角环形的形式的碳原子制成并且有高电子和导热性,因而做它用于半导体和计算机的理想的材料。

Graphene 页可能容易地被堆积在互相通过 Bernal 堆积由于其延展面。 在正常 Bernal 下堆积第二页的六角形形成的角落在底部页中间被安置。 研究员采用一个新的方法堆积叫堆积的 Bernal trilayer 安排了的地方 graphene 三页,于是顶部页直接地在最低的页下。 发现有这样被安排的 graphene 页的设备显示了电传导性,当其他设备显示了绝缘材料时。

然而,如果排列轻微被转移了,页显示了绝缘材料。 研究员使用喇曼分光学分析有这个期望堆积的命令的设备。 研究小组也计划分析出现由于堆积的排列的空白,因为它在带隙工程将帮助在 graphene 电子的。 此研究由从海军研究办公室,重点中心功能设计的纳诺 Architectonics 和国家科学基金会的授予赞助。

来源: http://www.ucr.edu/

Last Update: 12. January 2012 13:06

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