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Posted in | Graphene

Bernal 堆積可能修改 Graphene 的電子屬性

Published on September 29, 2011 at 3:21 AM

卡梅倫柴

研究員小組從加州大學的,河沿設立 graphene 電子屬性可以通過採用叫的技術修改 Bernal trilayer 堆積。

在 Bernal 被堆積的 trilayer (ABA),頂部 (第三) 頁正確地是在最低的頁頂部。 在菱面型被堆積的 (ABC) trilayer,頂部頁由原子的距離轉移,因此頂部 (第三) 頁和最低的頁形成堆積的 Bernal。 赊帳: Lau 實驗室, UC 河沿。

Graphene 由被安排以六角環形的形式的碳原子製成并且有高電子和導熱性,因而做它用於半導體和計算機的理想的材料。

Graphene 頁可能容易地被堆積在互相通過 Bernal 堆積由於其延展面。 在正常 Bernal 下堆積第二頁的六角形形成的角落在底部頁中間被安置。 研究員採用一個新的方法堆積叫堆積的 Bernal trilayer 安排了的地方 graphene 三頁,於是頂部頁直接地在最低的頁下。 發現有這樣被安排的 graphene 頁的設備顯示了電傳導性,當其他設備顯示了绝緣材料時。

然而,如果排列輕微被轉移了,頁顯示了绝緣材料。 研究員使用喇曼分光學分析有這個期望堆積的命令的設備。 研究小組也計劃分析出現由於堆積的排列的空白,因為它在帶隙工程將幫助在 graphene 電子的。 此研究由從海軍研究辦公室,重點中心功能設計的納諾 Architectonics 和國家科學基金會的授予贊助。

來源: http://www.ucr.edu/

Last Update: 27. January 2012 00:30

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